半导体中质和缺陷.ppt

第二章半导体中杂质和缺陷能级 理想的半导体晶体 实际应用中的 半导体材料 十分纯净 原子并不是静止在具有严格周期性 的晶格的格点位置上,而是在其平 不含任何杂质 衡位置附近振动 并不是纯净的,而是含有若干杂质 品格中的原子严格 即在半导体晶格中存在着与组成半 按周期排列的 导体的元素不同的其他化学元素的 原子 晶格结构并不是完整无缺的,而存 在着各种形式的缺陷  杂质:半导体中存在的与本体元素不同的其它元素 缺陷:晶格中的原子周期性排列被破坏 a.点缺陷:空位、间隙原子 b.线缺陷:位错 C.面缺陷:层错 杂质和缺陷对半导体的物理性能和化学性能会 产生决定性的影响。  杂质和缺陷出现在半导体中时, 产生的附加势场使严格的周期 性势场遭到破坏。 杂质能级位于禁带之中 Ec 杂质能级 E  §21Si、Ge晶体中的杂质能级 ■问隙式杂质:杂质原子 位于晶格原子的间隙位 置 间隙式杂质 间隙式杂质原子一般比 较小 a)(s)国(s 替位式杂质:杂质原子 ) 取代晶格原子位于晶格替位式杂质 点处 替位式杂质原子的大 的大小比较相近,价电杂质浓度:单位体积中的 子壳层结构相近。 杂质原子数  施主杂质和施主能级: 施主杂质:能够施放电子而产生导电电子并形成正电中心 硅中掺入磷(P)为例,研究 V族元素杂质的作用。当一个 磷原子占据了硅原子的位置 如图所示,磷原子有五个价电 子,其中四个价电子与周围的 四个硅原子形成共价键,还剩 余一个价电子。磷原子成为 个带有一个正电荷的磷离子 P),称为正电中心磷离子 其效果相当于形成了一个正电 中心和一个多余的电子。  多余的电子束缚在正电中心周围,但这种束缚作用比共价键 的束缚作用弱得多,只要很小的能量就可以使多余电子挣脱 束缚,成为自由电子在晶格中运动,起到导电的作用。这时 磷原子就成了一个少了一个价电子的磷离子,它是一个不能 移动的正电中心。 多余电子脱离杂质原子成为导电电子的过程称为杂质电离。 使这个多余电子挣脱束缚成为导电电子所需要的能量称为杂 质电离能,用AE表示。 实验测得,V族元素原子在硅、锗中的电离能很小(即多余 电子很容易挣脱原子的束缚成为导电电子),在硅中电离能 约为0.04-0.05eV,在锗中电离能约为0.01eV,比硅、锗的禁 带宽度小得多。  施主杂质N型杂质 V族元素杂质在硅、锗中电离时,能够施放电子而 产生导电电子并形成正电中心。 施放电子的过程称为施主电离。 施主杂质在未电离时是中性的,称为束缚态或中性态, 电离后成为正电中心,称为离化态。 电子型半导体N型半导体 纯净半导体中掺入施主杂质后,施主杂质电离,使导带中 的导电电子增多(电子密度大于空穴密度),增强了半导 体的导电能力,成为主要依靠电子导电的半导体材料。  电子得到能量AE后 就从施主的束缚态跃迁 到导带成为导电电子 被施主杂质束缚时的电 子的能量比导带底Ec低 △E,称为施主能级, 施主能级用离导带底E为AE处的短用En表示由于AEn远 线段表示,施主能级上的小黑点表示小于禁带宽度Eg,所以 被施主杂质束缚的电子。箭头表示被施主能级位于离导带底 束缚的电子得到电离能后从施主能级很近的禁带中。由于施 跃迁到导带成为导电电子的电离过程。主杂质相对较少,杂质 导带中的小黑点表示进入导带中的电原子间的相互作用可以 子,田表示施主杂质电离后带 正电,成为不可移动的正点中心。 忽略,所以施主能级可 以看作是一些具有相同 能量的孤立能级,  受主杂质和受主能级:s中摻硼B 受主杂质:能够接受电子而产生导电空穴并形成负电中心 硅中掺入硼(B)为例,研究Ⅲ 族元素杂质的作用。当一个硼原 子占据了硅原子的位置,如图所 示,硼原子有三个价电子,当它 和周围的四个硅原子形成共价键 时,还缺少一个电子,必须从别 处的硅原子中夺取一个价电子 于是在硅晶体的共价键中产生了 个空穴。硼原子成为一个带有 个负电荷的硼离子(B),称 为负电中心硼离子。其效果相当 于形成了一个负电中心和一个多 余的空穴。  多余的空穴束缚在负电中心周围,但这种束缚作用比共价键 的束缚作用弱得多,只要很小的能量就可以使多余空穴挣脱 束缚,成为自由空穴在晶格中运动,起到导电的作用。这时 硼原子就成了一个多了一个价电子的硼离子,它是一个不能 移动的负电中心 多余空穴脱离杂质原子成为导电空穴的过程称为杂质电离 使这个多余空穴挣脱束缚成为导电空穴所需要的能量称为杂 质电离能,用AE表示。 实验测得,Ⅲ族元素原子在硅、锗中的