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贴片电容COG NPO、X7R Y5V X5R介质区别
在我们选择无极性电容式,不知道大家是否有注意到电容的 X5R,X7R,Y5V, COG等等看上去很奇怪的参数,有些摸不着头脑,本人特意为此查阅了相关的 文献,现在翻译出来奉献给大家。
这个是按美国电工协会(EIA )标准,不同介质材料的MLCC按温度稳定性 分成三类:超稳定级(工类)的介质材料为 COG或NPO;稳定级(II类)的介 质材料为X7R;能用级(川)的介质材料 丫5V。
这类参数描述了电容采用的电介质材料类别, 温度特性以及误差等参数,不
同的值也对应着一定的电容容量的范围。具体来说,就是: X7R常用于容量为 3300pF~0.33uF的电容,这类电容适用于 滤波,耦合等场合,电介质常数比较大, 当温度从0 °C变化为70 °C时,电容容量的变化为土 15%; Y5P与丫5V常用于 容量为150pF~2nF的电容,温度范围比较宽,随着温度变化,电容容量变化范 围为土 10%或者+22%/-82%。对于其他的编码与温度特性的关系,大家可以参考 表4-1。例如,X5R的意思就是该电容的正常工作温度为-55 ° C~+85 ° C,对应 的电容容量变化为土 15%。
下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和丫5V来介绍一下它们的性能和应 用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。 不同的公司对于上述不同性 能的电容器可能有不同的命名方法,这里我们引用的是 AVX公司的命名方法,
其他公 司的产品请参照该公司的产品手册。 NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区
别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的 容量就不同,随之带来的电容器的介质损耗、 容量稳定性等也就不同。所以在使 用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。
低温
高谒
| 容量吏化
X:-55B C
4:+65' C
r a: ±1.0%
Y:-30' C
5 +85" C
B: ±1.5%
Z: +10 " C
6:+105 D C
C: ±2.2%
7:+125B C
D: ±3.3%
8:+150 D C
I
E: ±47%
9:+200 D C
F: 土 7.5%
io%
R: ±15%
22%
■
~T+22%-33%
□: +22^-56%
V:*22Si^82%
NPO电容器
NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质
是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。 NPO电容器是电容量和介质损耗最 稳定的电容器之一。在温度从-55 C到+125 C时容量变化为0 ± 30ppm/ C电容 量随频率的变化小于土 0.3 INPO电容的漂移或滞后小于土 0.05%
相对大于土 2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用 寿命的变化小于土 0.13NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频
率变化的特性也不同,大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。 下表给出了
NPO电容器可选取的容量范围。
NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容,以及高频电路中的耦合
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电容。通常COG和NPO指的是I类电介质,温度特性-2-55C ~125°C容量变化
率30ppm以内,现在C特性都用COG来表示,不用NP0表示了。
二、 X7R电容器
X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55 C到+125 C时其 容量变化为 15%,需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。
X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的, 它也随时间的变化
而变化,大约每10年变化1%A C,表现为10年变化了约5%。
X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用, 而且当电压变化时其容量变化 是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。 下表给出了 X7R 电容器可选取的容量范围。
三、 Z5U电容器
Z5U 电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。这里首先需要考虑的是使用温度 范围,对于 Z5U 电容器主要的是它的小尺寸和低成本。对于上述三种陶瓷 单片 电容起来说在相同的体积下 Z5U 电容器有最大的电容量。但它的电容量受环境 和工作条件影响较大,它的老化率最大可达每 10年下降 5%。
尽管它的容量不稳定,由于它具有小体积、等效串联电感( ESL)和等效串 联电阻(ESR)低、良好的频率响应,使其具有广泛的应用范围。尤其是在 退耦 电路的应用中。下表给出了 Z5U 电容器的取值范围。
Z5U 电容器的其他技术指标如下 :工作温度范围 +10C --- +85C 温度特性
+22% -56% 介质损耗最大 4%
四、 Y5V电容器
Y5V电容器是一种
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