模拟电的子技术知识重点_康华光版.pptVIP

模拟电子技术基础复习大纲 高等教育出版社康华光 第三章二极管及其基本电路 理解半导体中有两种载流子 电子 空穴——当电子挣脱共价键的束缚成为自由电子后, 共价键就留下一个空位,这个空位就称为空穴 理解本征半导体和本征激发 本征半导体化学成分纯净的半导体 两种载流子参与导电,自由电子数(n) 空穴数(p) 本征激发的特点{处电场作用下产生电流,电流大小与我 导电能力随温度增加显著增加 3、理解杂质半导体(通过掺杂,提高导电能力) N型半导体:电子是多数载流子,空穴是少数载流子, 但半导体呈中性 P型半导体:空穴是多数载流子,电子是少数载流子, 但半导体呈中性 少数载流子是由电子空穴对(本征激发)产生而来, 多子浓度主要取决于杂质浓度,少子浓度与温度有关 4、熟练掌握PN结 形成由于浓度差,而出现扩散运动,在中间形成空 间电荷区(耗尽层),又由于空间电荷区的内电场作用,存 在漂移运动,达到动态平衡。 单向导电性 不外加电压,扩散运动=漂移运动 加正向电压(耗尽层变窄),扩散运动漂移运动形成i 加反向电压(耗尽层变宽),扩散运动为0,只有很小的 漂移运动形成反向电流 特性方程:in=l(eh-1) 1/mA 特性曲线: 正向导通:死区、导通区 反向截止:截止区、击穿区 5、理解二极管 单向导电性、特性方程及特性曲线与PN结相同 主要参数:最大整流电流I、反向击穿电压vR、反向电流I、 极间电容、最高工作频率 分析模型:理想模型、恒压降模型、折线模型、小信号模型 二极管电路的分析计算 导通管的压降看做常值(硅0.7V,锗0.2V)或0V(理 想二极管);截止管所在支路看做断开,电路中所有二 极管状态判明后,进一步计算所要求的各物理量 6、特殊二极管稳压管(工作在反向击穿区 反向偏置且vVz 稳压原理:无论输入变化或负载变化,引起的电流变化都 加于稳压管上,使输出电压稳定 参数:Vz、Lz、PM、rz 第四章双极型三极管及放大电路基础 、理解半导体三极管 ①类型:结构、材料 PNP型 C b 硅管(E=0.7V)、锗管(VBE=0.2V) ②电流控制器件iCpB iE=(1+p)iB IB+Ic ③三个工作区 特性曲线[输入 输出:(饱和区:发射结、集电结均正偏, VgE=0.7V,Ⅴcs=0.3v 放大区:发一正集一反, BE=0.7遵循i= 截止区:发射结、集电结均反偏 VB0.5时已进入截止区 ④放大条件 发射极正偏集电极反偏 发射区杂质浓度大,集电区杂质浓度低,基区窄,杂质浓度低 c、e不能互换;根据各电极对地电位和各电极电流判断管 子类型 ⑤参数 集电极最大允许电流LCM、集电极最大允许功耗PcM、反向 击穿电压v (BR)CEO、 CBO ↑→ CEO T个→VB↓→l1↑→lC个 B个 2、三极管放大电路 直流通路:Q点一图解法、近似估算法 放大条件、交流参数 交流通路:Av、R、Ro、最大输出电压幅度 图解法、模型法 求Q点直流负载线 交流负载线 分析非线性失真[饱和失真静态点过高(NPN,底) 了解 截止失真静态点过低(NPN,顶) 图解法 信号过大增益过大引起的失真 确定最大输出电压幅度Vom(交流负载线)