电力电子技术基础1—器件 (1).ppt

电力电子技术 第二部分 电力电子器件 ————IGBT的静态特性 电力电子技术基础 ★ 转移特性 ★ 输出特性 饱和区 ★ 饱和电压特性 在1/2或1/3额定电流以下的区段，通态压降具负温度系数 在以上的区段则具有正温度系数，并联使用时也具有电流的自动均衡能力，易于并联 电力电子技术 第二部分 电力电子器件 ——IGBT的动态特性 电力电子技术基础 拖尾电流MOS已经关断，IGBT存储电荷释放缓慢 电力电子技术 第二部分 电力电子器件 ——IGBT的擎住（Latch）效应 电力电子技术基础 ★ 静态擎住 ★ 动态擎住 ★ 过热擎住 P区体电阻RP引发擎住 关断过急→位移电流 CJ—PN结电容 RG 不能过小，限制关断时间。 RP 及PNP、NPN 电流放大倍数 因温度升高而增大。 （150℃时ICM降至1/2） 电力电子技术 第二部分 电力电子器件 ——IGBT的主要参数 电力电子技术基础 1) 最大集射极间电压UCES 由内部PNP晶体管的击穿电压确定 2)? 最大集电极电流 包括额定直流电流IC和1ms脉宽最大电流ICP 3)最大集电极功耗PCM 正常工作温度下允许的最大功耗 电力电子技术 第二部分 电力电子器件 ——IGBT的特性和参数特点 电力电子技术基础 (1)??开关速度高，开关损耗小。在电压1000V以上 时，开关损耗只有GTR的1/10，与电力 MOSFET相当 (2)? 相同电压和电流定额时，安全工作区比GTR大，且具有耐脉冲电流冲击能力 (3)?? 通态压降比VDMOSFET低，特别是在电流较大的区域 (4)?? 输入阻抗高，输入特性与MOSFET类似 (5) 与MOSFET和GTR相比，耐压和通流能力还可以进一步提高，同时保持开关频率高的特点 IGBT中双极型PNP晶体管的存在，虽然带来了电导调制效应的好处，但也引入了少子储存现象，因而IGBT的开关速度低于电力MOSFET IGBT的击穿电压、通态压降和关断时间也是需要折衷的参数 1.7 其他新型电力电子器件 电力电子技术 第二部分 电力电子器件 ———集成门极换流晶闸管 电力电子技术基础 集成门极换流晶闸管（IGCT）是将门极驱动电路与门极换流晶闸管GCT集成于一个整体形成的器件。门极换流晶闸管GCT是基于GTO结构的一个新型电力半导体器件，它不仅与GTO有相同的高阻断能力和低通态压降，而且有与IGBT相同的开关性能，兼有GTO和IGBT之所长，是一种较理想的兆瓦级、中压开关器件。 1996年出现 电力电子技术 第二部分 电力电子器件 ———集成门极换流晶闸管 电力电子技术基础 IGCT损耗低、开关快速等这些优点保证了它能可靠、高效率地用于300 kVA～10MVA变流器，而不需要串联或并联。 IGCT将成为高功率高电压变频器的首选功率器件。 电力电子技术 第二部分 电力电子器件 ———功率模块与功率集成电路 电力电子技术基础 Toshiba Fuji Semikron Powerex Eupec/Infineon Standard modules Low labor content Improved reliability Reduced cost 电力电子技术 第二部分 电力电子器件 ———功率模块与功率集成电路 电力电子技术基础 电力电子技术 第二部分 电力电子器件 ———MOS控制晶闸管MCT 电力电子技术基础 ? MCT是一种新型MOS/双极复合器件。它是在普通晶闸管中用集成电路工艺制作大量的MOS开关，通过MOS开关的通断来控制晶闸管的开启和关断。所以，MCT既有晶闸管良好的阻断和通态特性，又具有MOS场效应管输入阻抗高，驱动功率低和开关速度快的优点，同时克服了晶闸管速度慢，不能自关断和高压MOS场效应管导通压降大的缺点。 由于MCT与IGBT在相同的工作频率下，其关断的控制难度要高，制作工艺更复杂，所以其商业化速度没有IGBT那么快。 优点 MCT工作于超掣住状态，是一个真正的PNPN器件，这正是其通态电阻远低于其它场效应器件的最主要原因。MCT既具备功率MOSFET输入阻抗高、驱动功率小、开关速度快的特性，又兼有晶闸管高电压、大电流、低压降的优点。其芯片连续电流密度在各种器件中最高，通态压降不过是IGBT或GTR的1/3，而开关速度则超过GTR。此外，由于MCT中的MOSFET元能控制MCT芯片的全面积通断，故MCT具有很强的导通di/dt和阻断dV/dt能力，其值高达2000A/ s 和2000V/ s。其工作结温亦高达150～200℃。　 电力电子技术 第二部分 电力电子器件 ———MOS控制晶闸管MCT 电力电子技术基础 新型电力电子器件可分为结型场控器件和绝缘栅型场控器件两大类。