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第二章
3、 处理器工作方式状态寄存器 PMST 中的 MP/MC 、 OVLY 和 DROM 三个状态位对
C54x 的存储空间结构各有何影响?
当 OVLY= 0 时, 程序存储空间不使用内 部 RAM。 当 OVLY= 1时, 程序存储空间使
用内 部 RAM。 内 部 RAM 同 时被映射到 程序存储空间 和 数据存储空间 。 当
MP/ MC=0 时, 4000H~EFFFH程序存储空间定义为外部存储器; F000H~FEFFH程序存
储空间定义为内 部 ROM; 当 MP/ MC=1 时, 4000H~FFFFH程序 存储空间 定 义为
外部存储。 DROM=0:
0000H~3FFFH—— 内 部 RAM ; 4000H~FFFFH—— 外 部 存 储 器 ; DROM=1 :
0000H~3FFFH—— 内 部 RAM; 4000H~EFFFH—— 外 部存储器; F000H~FEFFH—— 片
内 ROM; FF00H~FFFFH—— 保留。
4 、 TMS320C54x 芯片的片内 外设主要包括哪些电路?
① 通用 I/O 引 脚②定时器 ③时钟发生器④ 主机接口 HPI⑤ 串 行通信接口 ⑥ 软
件可编程等待状态发生器⑦可编程分区转换逻辑
5、 TMS320C54x 芯片的流水线操作共有多少个操作阶段? 每个阶段执行什么任务?
完成一条指令都需要哪些操作周期?
六个操作阶段 :① 预取指 P;将 PC 中的内 容加载 PAB ② 取指 F; 将读取到的指令字
加载 PB③ 译码 D; 若需要, 数据 1 读地址加载 DAB; 若需要, 数据 2 读地址加
载 CAB;修正辅助寄存器和堆栈指针④ 寻址 A; 数据 1 加载 DB;数据 2 加载 CB;
若需要, 数据 3 写地址加载 EAB⑤ 读数 R; 数据 1 加载 DB; 数据 2 加载 CB; 若
需要, 数据 3 写地址加载 EAB; ⑥执行 X。 执行指令, 写数据加载 EB。
6、 TMS320C54x 芯片的流水线冲突是怎样产生的? 有哪些方法可以避免流水线冲突?
答: ’C54x的流水线结构, 允许多条指令同时利用 CPU 的内 部资源。 由于 CPU 的
资源有限,当多于一个流水线上的指令同时访问同一资源时, 可能产生时序冲突。解
决办法① 由 CPU 通过延时自 动解决; ② 通过程序解决, 如重新安排指令或插入空
操作指令。 为了避免流水冲突, 可以根据等待周期表来选择插入的 NOP 指令的数量。
7、 TMS320C54x 芯片的串 行口 有哪几种类型?
四种串 行口 :标准同步串 行口 SP, 缓冲同步串 行口 BSP, 时分多路串 行口 TDM ,
多路缓冲串 行口 McBSP。
8 、 TMS320VC5402 共有多少可屏蔽中断? 它们分别是什么? NMI 和 RS 属于哪一
类中断源? 答: TMS320VC5402 有 13 个可屏蔽中断, RS 和 NMI 属于外部硬件中
断。
9、 试分析下列程序的流水线冲突, 画出流水线操作图。 如何解决流水冲突?
STLM A, AR0
STM #10, AR1
LD *AR1, B 解: 流水线图如下图:
解决流水线冲突: 最后一条指令 ( LD *AR1, B) 将会产生流水线冲突,
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