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ICS 31.080.10
L 41 DB52
贵 州 省 地 方 标 准
DB 52/T 860—2013
5KP 系列硅瞬态电压抑制二极管详细规范
Detail specification for silicon transient voltage supprossor diode of series 5KP
2013 - 12 - 06 发布 2014 - 02 - 01 实施
贵州省质量技术监督局 发 布
DB52/T 860—2013
目 次
前言 II
1 范围 1
2 规范性引用文件 1
3 符号和型号命名 1
4 技术要求 1
5 质量一致性检验 3
6 标志 8
7 订货资料 9
8 包装、贮存和运输 9
9 使用注意事项 9
附录 A(规范性附录) 最大箝位电压 VCmax 的测试方法 11
I
学兔兔
DB52/T 860—2013
前 言
本标准按GB/T 1.1—2009《标准化工作导则 第1部分:标准的结构和编写》给出的规则起草。
请注意:本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。
本标准由贵州省机械电子产品质量监督检验院、中国振华集团永光电子有限公司提出。
本标准由贵州质量技术监督局归口。
本标准起草单位:贵州省机械电子产品质量监督检验院、中国振华集团永光电子有限公司。
本标准主要起草人:邹盛琳、江涛、唐文斌、曹珩、孟勤、章俊华、龚洪宾、李钢、杨朝辉、易晶
晶。
本标准附录A是规范性附录。
本标准首次发布。
II
DB52/T 860—2013
5KP 系列硅瞬态电压抑制二极管详细规范
1 范围
本标准规定了 5KP12、5KP16、5KP33、5KP51、5KP60、5KP78、5KP100、5KP180、5KP200 型硅瞬态电压抑制二极管(以下简称器件)的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、贮存、运输。
本标准适用于器件的研发、生产、检验和使用。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 2423.3 电工电子产品基本环境试验规程 试验Ca:恒定湿热试验方法
GB/T 4023 半导体器件分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管
GB/T 4589.1 半导体器件 第10部分:分立器件和集成电路总规范
GB/T 4937 半导体分立器件机械和气候试验方法
GB/T 6571 半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管
GB/T 11499 半导体分立器件文字符号
GB/T 12560 半导体器件 分立器件分规范
3 符号和型号命名
3.1 5KP 系列的型号命名由两部分组成,其含义为:
5KP 表示瞬态功率为 5000W;
5KP 后面的阿拉伯数字表示其最大反向工作电压。
3.2 有关符号含义的说明
PPR 表示瞬态功率、PR 表示稳态功率、IP 表示脉冲峰值电流、IFSM 表示浪涌电流、TOP 表示工作温度、
Tstg 表示贮存温度、VBR 表示击穿电压、IBR 表示测试电流、IR1 表示反向漏电流、VRWM 表示反向工作电压、
VC 表示箝位电压、V(BR)3 表示低温反向击穿电压、IZM 表示稳态额定电流。
4 技术要求
4.1 5KP 系列硅瞬态电压抑制二极管采用 YD2-16A 型金属空腔封装,见图 1。
1
DB52/T 860—2013
图1 5KP 系列硅瞬态电压抑制二极管采用 YD2-16A 型金属空腔封装图
说明:
1 一负极;
2 一正极。
表1
外形尺寸
单位:毫米
符号
Φb2
ΦD
ΦD1
G
G1
L
L1
L2a
min
1.10
—
—
—
—
25.40
—
30.40
YD2-16A
max
1.30
8.50
1.80
11
18.50
—
4.77
—
注:L2为引线弯曲成直角后器件安装的最小轴向长度。
4.2 质量评定类别
质量评定类别:国标Ⅱ类。
4.3 最大额定值和主要电特性
4.3.1 最大额定值
最大额定值见表 2。
表2
最大额定值
参数
PPRa
PRb
IP
IFSM
TOP
Tstg
TA=25℃
TA=25℃
tP=1ms
型号
tr=10μs
W
W
A
A
℃
℃
5KP12、5KP16、5KP33、5KP51、
见表 2 第 4 栏
5KP60、5KP78、5KP100、5KP180、
5000
3
600
-55~125
-55~150
中的值
5KP200
注1:tP=1ms、tr=10μs,峰值脉冲电流波形见附录 A 图 A2。
注2: 当 TA﹥25℃时,器件按 0.024W/℃的速率线性降额。
2
DB52/T
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