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BCD工艺及发展状况综述 摘要：随着市场对低功耗、高效率节能功率电子产品需求的不断扩展，单芯片智能功率集成电路（SPIC）得到了迅猛发展。目前，SPIC的制造主要采用一种称为BCD（Bipolar CMOS DMOS）的集成工艺技术，本文根据实际工艺的电压标准着重阐述了高压BCD、大功率BCD以及高密度BCD工艺的各自特点及发展标准，同时介绍了世界知名IC制造厂商的并阐述了BCD工艺整体的发展特点及趋势。 关键词：SPIC功率集成技术 BCD工艺 1、引言 智能功率集成电路（SPIC）是指将高压功率器件及低压信号处理电路和外围接口、检测、保护等功能电路集成到单芯片上的集成电路技术。SPIC的发展依赖于目前最重要的功率集成技术——BCD工艺，BCD工艺的特点是将硅平面工艺用到功率集成上，该工艺是一种可以将双极、CMOS和DMOS器件同时集成到单芯片上的技术，1986年，由意法半导体公司率先研制成功了第一代BCD工艺，当时的技术被称为Multipower BCD technology[1]，是一种4μm 60V工艺，在传统结隔离双极工艺中整合进了纵向DMOS（VDMOS）结构，该工艺采用了12掩膜版，其工艺截面结构如图1所示： 图1 ST公司的第一代BCD工艺集成器件剖面图[1] 在功率应用领域，与传统的双极功率工艺相比BCD工艺具有显著的优势，最基本的优势就是使得电路设计者可以在高精度模拟的双极器件，高集成度的CMOS器件和作为功率输出级的DMOS器件之间自由选择。由于DMOS具有高效率(低损耗)、高强度(无二次击穿)、高耐压、固有的源漏二极管的存在(作用类似续流二极管) 和高速的开关特性，因此，DMOS特别适合作为功率开关器件，而且其制造工艺可以和和硅栅CMOS制造工艺兼容，从而有利于功率集成。整合好的BCD工艺可大幅降低功耗，提高系统性能，增加可靠性和降低成本。 经过近三十年的发展，BCD工艺技术已经取得了很大进步，从第一代的4μm BCD工艺发展到了第六代0.13μm BCD工艺，线宽尺寸不断减小的同时也采用了更先进的多层金属布线系统，使得BCD工艺与纯CMOS工艺发展差距缩小；另一方面，BCD工艺向着标准化模块化发展，其基本工序标准化，混合工艺则由这些基本工序组合而成，设计人员可以根据各自的需要增减相应的工艺步骤。当今BCD工艺中的CMOS与纯CMOS完全兼容，现有的图形单元库可以直接被混合工艺电路调用。 总的来说，今后的BCD工艺主要向着高压，高功率和高密度这三个方向发展，同时提高与CMOS工艺的工艺兼容性，并针对更多的应用需要灵活化工艺设计；另外，BCD技术与SOI技术相结合也是一种非常重要的趋势，目前一些新兴的BCD技术也已经形成体系，如： HVCMOS-BCD主要用于彩色显示驱动，RF-BCD主要用于实现手机RF功率放大输出级，BCD-SOI主要用于无线通信。BCD工艺的发展使更多复杂的功能可以集成。这使SPIC的设计变得更加灵活、方便,设计时间和费用大幅度减少。这样便出现了将微处理器、存储器等系统的核心单元与接口、电源、保护等单元单片集成的高智能化功率系统（PSoC），即面向系统的高智能功率技术( system oriented technology)。 2、BCD集成电路技术研究进展 2.1 国外知名厂商及其工艺 一些著名国际半导体公司在功率集成技术领域处于领先地位，如仪器（TI）、仙童半导体（Fairchild）、Power Integration(PI)、国际整流器公司（IR）、飞思卡尔（Freescale）、意法半导体（ST）、Philips、三菱等。国拥有BCD工艺线的厂商比较有限，主要有台积电（TSMR）、中芯国际、华虹NEC、宏力半导体、新进半导体、华润上华等。 ST公司是欧洲功率半导体的最大厂商，其首创的BCD工艺在1980年代中期引入时，马上就成为几乎所有智能功率应用的首选。经过不断改进、分化，ST公司开发了一系列对全球功率IC影响深远的BCD工艺,如BCD3（1.2μm）[2]、BCD4（0.8μm）[3]、BCD5（0.6μm）[4]、BCD6（0.35μm）[5]。最新的BCD工艺是基于VLSI CMOS平台的0.18μm BCD8[6]和0.13μm BCD工艺。 NXP公司（原飞利浦半导体公司）在BCD工艺方面也做了大量的研究，特别是SOI BCD方面，NXP公司已经推出了一系列基于自己开发的SOI BCD工艺平台的功率集成芯片产品，在低噪声，高可靠性，高频率要求的应用领域占据了很大的市场份额。 TSMC在2009-2012年间推出了模组化BCD工艺，此新的BCD工艺特色在于提供12伏特至60伏特的工作电压围，可支持多种LED的应用，包括：LCD平面显示器的背光源、LED显示器、一