半导体制造工艺流程[整理].pptVIP

光罩检测（Retical检查）  光罩是高精密度的石英平板，是用来制作晶圆上电子电路图像，以利集成电路的制作。光罩必须是完美无缺，才能呈现完整的电路图像，否则不完整的图像会被复制到晶圆上。光罩检测机台则是结合影像扫描技术与先进的影像处理技术，捕捉图像上的缺失。 当晶圆从一个制程往下个制程进行时，图案晶圆检测系统可用来检测出晶圆上是否有瑕疵包括有微尘粒子、断线、短路、以及其它各式各样的问题。此外，对已印有电路图案的图案晶圆成品而言，则需要进行深次微米范围之瑕疵检测。 一般来说，图案晶圆检测系统系以白光或雷射光来照射晶圆表面。再由一或多组侦测器接收自晶圆表面绕射出来的光线，并将该影像交由高功能软件进行底层图案消除，以辨识并发现瑕疵。  * 流程汇编·实用借鉴 铜制程技术 在传统铝金属导线无法突破瓶颈之情况下，经过多年的研究发展，铜导线已经开始成为半导体材料的主流，由于铜的电阻值比铝还小，因此可在较小的面积上承载较大的电流，让厂商得以生产速度更快、电路更密集，且效能可提升约30-40％的芯片。亦由于铜的抗电子迁移（电版移民）能力比铝好，因此可减轻其电移作用，提高芯片的可靠度。在半导体制程设备供货商中，只有应用材料公司能提供完整的铜制程全方位解决方案与技术，包括薄膜沉积、蚀刻、电化学电镀及化学机械研磨等。  * 流程汇编·实用借鉴 半导体制造过程 後段（Back End） ---后工序 构装（Packaging）：IC構裝依使用材料可分為陶瓷（ceramic）及塑膠（plastic）兩種，而目前商業應用上則以塑膠構裝為主。以塑膠構裝中打線接合為例，其步驟依序為晶片切割（die saw）、黏晶（die mount / die bond）、銲線（wire bond）、封膠（mold）、剪切/成形（trim / form）、印字（mark）、電鍍（plating）及檢驗（inspection）等。 测试制程（Initial Test and Final Test） * 流程汇编·实用借鉴 1 晶片切割（Die Saw） 晶片切割之目的為將前製程加工完成之晶圓上一顆顆之 晶粒（die）切割分離。举例来说：以0.2微米制程技术生产，每片八寸晶圆上可制作近六百颗以上的64M微量。 欲進行晶片切割，首先必須進行 晶圓黏片，而後再送至晶片切割機上進行切割。切割完後之晶粒井然有序排列於膠帶上，而框架的支撐避免了 膠帶的皺摺與晶粒之相互碰撞。? * 流程汇编·实用借鉴 2黏晶（Die Bond） 黏晶之目的乃將一顆顆之晶粒置於導線架上並以銀膠（epoxy）黏著固定。黏晶完成後之導線架則經由傳輸設 備送至彈匣（magazine）內，以送至下一製程進行銲線。 * 流程汇编·实用借鉴 3銲線（Wire Bond） IC構裝製程（Packaging）則是利用塑膠或陶瓷包裝晶粒與配線以成積體電路（Integrated Circuit；簡稱IC），此製程的目的是為了製造出所生產的電路的保護層，避免電路受到機械性刮傷或是高溫破壞。最後整個積體電路的周圍會 向外拉出腳架（Pin），稱之為打線，作為與外界電路板連接之用。 * 流程汇编·实用借鉴 4封膠（Mold） 封膠之主要目的為防止濕氣由外部侵入、以機械方式支 持導線、內部產生熱量之去除及提供能夠手持之形體。其過程為將導線架置於框架上並預熱，再將框架置於壓模機上的構裝模上，再以樹脂充填並待硬化。? * 流程汇编·实用借鉴 5剪切/成形（Trim /Form） 剪切之目的為將導線架上構裝完成之晶粒獨立分開，並 把不需要的連接用材料及部份凸出之樹脂切除（dejunk）。成形之目的則是將外引腳壓成各種預先設計好之形狀 ，以便於裝置於電路版上使用。剪切與成形主要由一部衝壓機配上多套不同製程之模具，加上進料及出料機構 所組成。 * 流程汇编·实用借鉴 CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例 3。去除SiO2，长薄氧，长Si3N4 N-Si P- Si3N4 * 流程汇编·实用借鉴 CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例 4。光II---有源区光刻 N-Si P- Si3N4 * 流程汇编·实用借鉴 CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例 5。光III---N管场区光刻，N管场区注入，以提高场开启，减少闩锁效应及改善阱的接触。 光刻胶 N-Si P- B+ * 流程汇编·实用借鉴 CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例 6。光III---N管场区光刻，刻出N管场区注入孔； N管场区注入。 N-Si P- * 流程汇编·实用借鉴 CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例 7。光Ⅳ---p管场区光刻，p管场区注入， 调节PMOS管的开启电压，生长多晶硅。 N-