半导体少子寿命测量实验.docxVIP

实验：半导体少子寿命的测量 一.实验的目的与意义 非平衡少数载流子(少子)寿命是半导体材料与器件的一个重要参数。 其测量方法主要 有稳态法和瞬态法。高频光电导衰退法是瞬态测量方法， 它可以通过直接观测少子的复合衰 减过程测得其寿命。 通过采用高频光电导衰退法测量半导体硅的少子寿命， 加深学生对半导体非平衡载流子 理论的理解，使学生学会用高频光电导测试仪和示波器来测量半导体少子寿命。 二.实验原理 半导体在一定温度下， 处于热平衡状态。 半导体内部载流子的产生和复合速度相等。 电 子和空穴的浓度一定，如果对半导体施加外界作用，如光、电等，平衡态受到破坏。这时载 流子的产生超过了复合， 即产生了非平衡载流子。 当外界作用停止后，载流子的复合超过产 生，非平衡少数载流子因复合而逐渐消失。 半导体又恢复平衡态。 载流子的寿命就是非平衡 载流子从产生到复合所经历的平均生存时间，以 来表示。 F面我们讨论外界作用停止后载流子复合的一般规律。 当以恒定光源照射一块均匀掺杂的 n型半导体时，在半导体内部将均匀地产生非平衡载 流子△门和厶p。设在t=0时刻停止光照，则非平衡载流子的减少 -d A p/dt应等于非平衡载 流子的复合率A p (t) /。1/为非平衡载流子的复合几率。即： (1-1 )d p p t (1-1 ) 在小注入条件下,为常量，与A 在小注入条件下, 为常量，与A p (t )无关，这样由初始条件: A p (0) = ( A p) o 可解得: t p t poe (1-2) 由上式可以看出: A p ( ) A p ( ) =0,即非平衡载流子浓度随 2、当t=时，A p ( ) = ( A p) o/e。即寿命 是非平衡载流子浓度减少到初始值的 1/e倍 所经过的时间。因此，可通过实验的方法测出非平衡载流子对时间的指数衰减曲线，由 此测得到少子寿命值 。  图1-1高频光电导衰退法测量原理图 高频光电导衰减法测量原理如图 1-1所示。样品两端以电容耦合的方式与 高频振荡源的输出和检波器的输入端相连接。 图1-2测量等效电路图 图1-2是等效电路图。Co为耦合电容，R为样品电阻。振荡源产生的高频电流通过样品。 图1-3样品中高频电流的幅值变化 无光照时，样品的电导率 o=q (^no+wpo)为一定值，故高频电流的幅值恒定。如图 1-3 (a)所示。i=lme3 有光照时，由于样品中产生了非平衡载流子，样品的电导率增大， 引起附加电导 。 P n P n n q p p q n p p (1-3) 光照停止后，非平衡载流子将由于复合而减少，附加电导逐渐减少，样品的电阻增大， 回路电流的幅度又恢复到光照前的水平。 (1-3 )式应用了 n= p，这是因为光生载流子是成 对产生的。 实际上，i= loe-t/， Io为恒定光照下的电流增量，它只与光照照度有关。从而回路电 流为： i=i 0+ i=l mej 3* loe- T (1-4) 即光照后回路高频电流的幅度受到了样品光电导变化的调制， 其波形变化如图1-3 (b) 所示。这种光电导调制的高频电流在电阻 Ro上产生相应的高频电压调幅波： 这个高频电压调幅波经过检波电路， 将其中的幅度衰减信号解调出来,器放大，送至示波器，得到电压的指数衰减曲线为： 这个高频电压调幅波经过检波电路， 将其中的幅度衰减信号解调出来, 器放大，送至示波器，得到电压的指数衰减曲线为： 再经过宽带放大 -t/ -t/ T V= Voe (1-6) 由曲线方程(1-6),当V衰减到1/e的时间时，即为少子寿命 。如图1-4所示。 图1-4 V衰减曲线 三．实验内容 采用高频光电导衰退法测量单晶硅的少子寿命， 并观察光源经滤光片滤光后测试曲线的 变化。 四．实验仪器与样品 哈尔滨工业大学自制的 HM -HLT -1 型高频光电导衰退法测少子寿命测试仪， DF8020A 型双踪示波器。高阻硅片样品。 五．实验步骤 （一）准备 1、 按图 1-5 将测试仪与示波器连接好。 2、 抽出测试仪活动仓门， 放入待测样品后将仓门关紧， 以防在测量时有强光逸出， 影响调 试与读数。 3、 先打开示波器电源，在无信号输入的情况下调节示波器的初始状态。将“输入”放在交 流，“方式”放在Yi, “扫描方式”放在自动，调节“位移”旋钮，使光标成为一条直线， 并与显示屏上的标准曲线横轴相重合。 4、 将测试仪的频率调节和“光强调节”调至最小，打开测试仪电源。 图 1-5 少子寿命测量系统 （二）测试 1、 少子寿命测试仪工作， 闪光管放电， 光强指示随着每次放电而抖动。 测试仪前置面板上 “频率调节” 、“光强调节”旋钮可调节光照闪烁频率与光强，按顺时针方向增大，一 般测试使用时，频率约在 1HZ— 2H