2013光电子器件试题A.docxVIP

A A焦耳(J) B 瓦特(W) C 流明（Im） D 坎德拉（cd） 成都信息工程学院考试试卷 2012—— 2013 学年第2学期 1.对于 1.对于P型半导体来说，以下说法正确的是（ ）。 课程名称：光电子器件 使用班级:电科10级 试卷形式：开卷□闭卷 V ? 试题 一一一 -二二 四 五 六 七 八 九 十 总分 得分 、选择题（共20分，每小题2分） 空穴为少子A电子为多子 空穴为少子 C能带图中施主能级靠近于导带底 D 能带图中受主能级靠近于价带顶 下列光电器件，哪种器件正常工作时需加100-200V的高反压（ ）。 A Si光电二极管B PIN A Si光电二极管 B PIN 光电二极管 C雪崩光电二极管 C雪崩光电二极管 光电三极管 3.对于光敏电阻，下列说法不正确的是（ 3.对于光敏电阻，下列说法不正确的是（ ）。 C 2CR11蓝硅光电池 C 2CR11蓝硅光电池 杂质光电导探测器 A弱光照下，光电流与照度之间具有良好的线性关系 B光敏面作成蛇形，有利于提高灵敏度 C光敏电阻具有前历效应 D光敏电阻光谱特性的峰值波长，低温时向短波方向移动 下列探测器最适合于作为光度量测量的探测器（ A热电偶 A热电偶 电荷耦合器件分（ A线阵CCD和面阵CCD线阵 A线阵CCD和面阵 CCD 线阵CCD和点阵CCD C面阵CCD和体阵 CCD 体阵CCD和点阵CCD 光通亮?