第一章晶体结构与结合性质[1]-2014年-9(1).pptVIP

复合结构 单层石墨烯 反常量子霍尔效应 单质半导体：Ge, Si, 金刚石 Growth of Semiconductor 生长方法 单晶的制备——大尺寸 LPE （Liquid-Phase Epitaxy） MBE (Molecular Beam Epitaxy)精确控制 VPE (Vapor-Phase Epitaxy) CVD (Chemical Phase Deposition) MOCVD (Metal-Organic CVD) LPCVD (Low Pressure CVD) PRCVD (Plasma Enhanced Epitaxy) 半导体物理的背景知识 量子力学 固体物理 统计物理 本课程的内容和目标 课本1-8章中7-8视你们时间安排和需求来定 掌握半导体的基本结构、缺陷的描述及与其性能的关系 半导体中载流子的分布、输运 、产生和复合的机理 简单的单个器件的结构，特性及与材料的关系 第一章 晶体结构和结合性质 晶体：周期性排列的原子（分子、离子）组成的物质 1.1 晶体结构 1.11 晶格的周期性 自然界中的晶体结构千变万化，但有些可能具有相同的周期，周期性相同，会有许多共性，所以晶体可以按周期性分类 基本概念：晶格, 晶胞, 原胞 ； 简单晶格,复式晶格；平移对称性；