(工艺技术)太阳能电池与硅片划片切割工艺的研究.pdfVIP

太阳能电池与硅片划片切割工艺的研究 一 半导体其主要特性 导电能力介于导体和绝缘体之间的物体，则叫做半导体，如锗、硅、砷化镓、硫化镉等， 其电阻率为 10- ５～107 Ω· m 半导体性能上具有如下两个显著的特点。 (1) 电阻率的变化受杂质含量的影响极大， 例如，纯硅中磷杂质的浓度在 1026 ～ 1019m-3 范围内变化时，它的电阻率就会从 10-5 Ω· m 变到 104 Ω·m ；室温下在纯硅中掺人百万 分之一的硼，硅的电阻率就会从 2.14X103 Ω·m 减小到 0.004 Ω·m 左右。如果所含杂质 的类型不同，导电类型也不同。 (2) 电阻率受光和热等外界条件的影响很大， 温度升高或光照时， 均可使半导体材料的电 阻率迅速下降。例如，锗的温度从 200 ℃升高到 300 ℃，其电阻率降低一半左右。一些特殊 的半导体，在电场和磁场的作用下，其电阻率也会发生变化。 半导体材料的种类很多，按其化学成分，可分为元素半导体和化合物半导体；按其是否含 有杂质，可分为本征半导体和杂质半导体。杂质半导体按其导电类形，又分为