碳化硅单晶抛光片、硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法.pdfVIP

碳化硅单晶抛光片.pdf 碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定二次离子质谱法.pdf ICS 29.045 CCS H 83 中华人民共和国国家标准 GB/T 30656—XXXX 代替GB/T 30656-2014 碳化硅单晶抛光片 Polished monocrystalline silicon carbide wafer （征求意见稿） （在提交反馈意见时，请将您知道的相关专利连同支持性文件一并附上） XXXX - XX - XX 发布 XXXX - XX - XX 实施 XXXX - XX - XX 实施 GB/T 30656—XXXX 前 言 本文件按照GB/T 1.1-2020 《标准化工作导则 第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起 草。 本文件代替GB/T 30656-2014 《碳化硅单晶抛光片》，与GB/T 30656-2014相比，除结构调整和编辑 性改动外，主要技术内容变化如下： a) 范围中碳化硅单晶抛光片的用途增加了射频微波器件 （见第1章，2014年版的第1章）； b) 规范性引用文件中删除了GB/T 6619、GB/T 6620、GB/T 14140、GB/T 29507、DIN 50448，增 加了GB/T 2828.1-2012、GB/T 30866、GB/T 32188、GB/T 32278 （见第2章，2014年版的第2 章）； c) 术语和定义中删除了表面取向、正交取向偏离，增加了4H-SiC、6H-SiC （见第3章，2014版的 第3章）； d) 牌号分类增加了ф150 mm和“非标准直径要求由供需双方协商确定”（见4.2.3，2014版的4.4.1） e) 增加了ф100 mm碳化硅单晶抛光片半绝缘型的厚度及允许偏差（见5.2，2014版的4.5） f) 修订了ф100 mm碳化硅单晶抛光片TTV、BOW的值（见5.2，2014版的4.5） g) 增加了ф150 mm碳化硅单晶抛光片的相关内容，包括总则、规格、几何参数、晶片表面质量、 微管密度 （见第5章，2014版的4.5）； h) 增加了φ50.8 mm、φ76.2 mm、φ100.0 mm和φ150.0 mm碳化硅晶片C面粗糙度的指标要求（见 5.5，2014版的4.5）； i) 修订了表面质量，工业级、研究级、试片级相关测试指标，增加了检验项目崩边的指标，修订 了试片级的可用面积(见5.4,2014版的4.7)； j) 修订了ф100 mm碳化硅单晶抛光片的微管密度（见5.6，2014版的4.8）； k) 增加了位错密度（见5.7）； l) 全文将“主、副参考边”修订为“主、副参考面”； m) 增加了附录B 《碳化硅单晶抛光片位错密度检测方法》； n) 增加了附录C 《半绝缘碳化硅单晶抛光片电阻率非接触测量方法》； o) 直径及允许偏差的参照标准由GB/T14140修订为GB/T 30866；厚度及允许偏差、总厚度变化、 翘曲度和弯曲度的参照标准由GB/T 29507、GB/T 6619、GB/T 6620、GB/T 6619修订为GB/T 32278 （见7.1，2014版的5.1）。 p) 结晶质量参照附录B规定的方法用高分辨率X射线衍射仪做双晶摇摆曲线的检测，修订为GB/T 32188 （见7.7，2014版的5.5） q) 修订了组批的定义（见8.2，2014版的6.2 ）