《微电子工艺》第7章接触、隔离与互连.ppt

13.一介质置于两平行金属线间，其长度L=lcm，宽度W=0.28μm，厚度T=0.3μm，两金属间距s为0.36μm。(a)计算RC时间延迟。假设金属材料为铝，其电阻率为2.67μΩ·cm，介质为氧化膜，其介电常数为3.9。(b)计算RC时间延迟。假设金属材料为铜，其电阻率为1.7μΩ·cm，介质为有机聚合物，其介电常数为2.8。(c)比较(a)、(b)中结果，我们可以减少多少RC时间延迟? 14．假设电容的边缘因子(fringing factor)为3，边缘因子是由于电场线分布超出金属线的长度与宽度的区域，重复计算上题(a)及(b)。 15．为避免电迁移的问题，最大铝导线的电流密度不得超过5×105A/cm2．假设导线长为2mm,宽为1μm，最小厚度为1μm，此外有20％的线在台阶上，该处厚度为0.5μm。试计算此线的电阻值及铝线两端可承受的最大电压。假设电阻率为3×10-6Ω·cm。 16．在布局金属线时若要使用铜，必须克服以下几点困难：①铜通过二氧化硅层而扩散；②铜与二氧化硅层的附着性；③铜的腐蚀性。有一种解决的方法是使用具有包覆性、附着性的薄膜来保护铜导线。考虑一被包覆的铜导线，其横截面积为0.5μm×0.5μm，与相同尺寸大小的TiN/Al/TiN导线相比(其中上层TiN厚度为40 nm，下层为60 nm)，其最大包覆层的厚度为多少?(假设被包覆的铜线与TiN/A1/TiN线的电阻相等) 本章习题 * * ①②③④⑤⑥⑦⑧⑧ * * * ①②③④⑤⑥⑦⑧⑧ * ①②③④⑤⑥⑦⑧⑧ * ①②③④⑤⑥⑦⑧⑧ * ①②③④⑤⑥⑦⑧⑧ * ①②③④⑤⑥⑦⑧⑧ * ①②③④⑤⑥⑦⑧⑧ * ①②③④⑤⑥⑦⑧⑧ 因为所有的元素几乎同时蒸发，所以晶片上薄膜的成分和合金金属丝组成十分接近。 * ①②③④⑤⑥⑦⑧⑧ 真空泵在教材P280 * ①②③④⑤⑥⑦⑧⑧ * ①②③④⑤⑥⑦⑧⑧ * ①②③④⑤⑥⑦⑧⑧ * ①②③④⑤⑥⑦⑧⑧ * ①②③④⑤⑥⑦⑧⑧ * ①②③④⑤⑥⑦⑧⑧ * ①②③④⑤⑥⑦⑧⑧ * ①②③④⑤⑥⑦⑧⑧ * ①②③④⑤⑥⑦⑧⑧ 硅烷易燃气体 器件隔离、接触和金属化放在具体工艺技术中介绍。 Campbell：P401～3。 场氧化层部分凹入：生长时要消耗44％的硅。 鸟嘴：P314。 窄沟效应：Campbell P407。 缺点：Campbell P414。 P302。 器件隔离的目的：高密度器件之间如果不在电学上一一隔离，各器件之间会通过衬底相互影响和干扰，甚至无法正常工作。因此，为了在同一基片上制备多个器件，必须引入隔离技术，在隔离的基础上根据电路要求将相关器件端口连接，以实现特定的功能。 7.4 器件隔离 两个NPN晶体管的集电区作为源、漏极，SiO2作为绝缘层，金属层作为栅电极，共同组成寄生MOSFET。 带有公共集电区的双极晶体管的简单 p-n 结结构。 衡量隔离工艺模块的指标：密度、工艺复杂性、成品率、平坦化程度和寄生效应。 发射区 基区 金属 SiO2 7.4 器件隔离 两个 NPN 晶体管之间加入 p+ 阻挡层，可以防止金属线下面的半导体层发生反型导通。 优点：工艺简单，成品率高。 缺点：a. 隔离区较宽，器件密度不高； b. 隔离扩散引入大的 集电区－衬底和集电区－基 区电容，不利于器件速度的 提高。 p-n 结隔离主要应用于 一些低成本、低密度场合。 p-n 结隔离 P-sub 金属 SiO2 阻挡环 用于隔离双极器件的阻挡环 7.4 器件隔离 局部氧化（LOCOS）隔离 MOS 器件之间是自隔离的（self-isolated），可大大提高集成度。但当绝缘层上的金属引线经过两个 MOSFET 之间的区域时，会形成寄生场效应晶体管。 因此，MOS IC 中的隔离主要是防止寄生的导电沟道，即防止场区寄生场效应晶体管开启。方法之一是提高寄生场效应晶体管的阈值电压，可以通过增加场氧化层厚度，或/和增大氧化层下沟道的掺杂浓度以形成沟道阻挡层实现。 SiO2 SiO2 SiO2 SiO2 SiO2 SiO2 SiO2 MOSFET1 MOSFET2 寄生 MOSFET n+ n+ n+ n+ 7.4 器件隔离 标准局部氧化工艺步骤 硅的局部氧化（ LOCOS：local oxidation of silicon） LOCOS 隔离技术从根本上说是p-n结隔离的副产物，同时解决了器件隔离和寄生器件形成两个问题。 光刻胶 注入 热氧化SiO2缓冲层＆淀积Si3N4阻挡层 光刻和刻蚀Si3N4阻挡层 场区注入，提高