LNA-------LowNoiseAmplifier-DepartamentodeElectricidad低噪声放大器LNA-------电力部.ppt

LNA-------LowNoiseAmplifier-DepartamentodeElectricidad低噪声放大器LNA-------电力部.ppt

  1. 1、本文档共53页,可阅读全部内容。
  2. 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
AMPLIFICADORES DE BAJO RUIDO ? Derivando respecto a g m obetemos un valor ó ptimo de transconductancia g mopt , el cual nos proporciona un factor de ruido mí nimo. ? El factor de ruido mí nimo aumenta con la frecuencia y cuando trabajamos con campos elé ctricos grandes. ? La figura de ruido baja cuando el transistor trabaja como un dispositivo de canal largo a bajas frecuencias. 2 0 min 1 2 1 5 5 T ω δγ δα F c ω γ 骣 = + + + 琪 桫 AMPLIFICADORES DE BAJO RUIDO Factor de ruido del nuevo modelo de MOS Simplificado. AMPLIFICADORES DE BAJO RUIDO Factor de ruido sin Ig. ? Respecto al modelo de MOS simplificado, donde g m y R g debí an ser mí nimas para mí nimo ruido, ahora la dependencia no es exclusivamente inversamente proporcional, existen unos valores ó ptimos. 2 2 0 1 1 1 gd g m g m gs gd T C ω γ γ F R g R α g C C α ω 骣 骣 = + + 琪 琪 + 桫 桫 AMPLIFICADORES DE BAJO RUIDO ? Respecto al modelo de MOS simplificado, donde g m y R g debí an ser mí nimas para mí nimo ruido, ahora la dependencia no es exclusivamente inversamente proporcional, existen unos valores ó ptimos. ? Derivando respecto a g m manteniendo R g constante se obtiene un g mopt que nos proporciona un factor de ruido mí nimo. 0 min 1 2 gd T gs gd C ω γ F α ω C C = + + AMPLIFICADORES DE BAJO RUIDO Factor de ruido incluyendo ig. ( ) 2 2 2 2 0 0 2 5 1 1 2 5 5 5 gs gd g m T g m T gs gd γ C C δα ω ω γ δα δα δγ F R g c α ω R g ω C C 骣 + 琪 骣 桫 骣 = + + + + 琪 琪 桫 桫 + ? Obtenemos un valor g mopt derivando respecto g m . ? Comparando esta nueva g mopt con la obtenida con el modelo de MOS simplificado incluyendo i g , podemos ver que la inclusió n de una C gd por muy peque? a que sea hace que el valor ó ptimo de la transconductancia sea menor, y por lo tanto tambié n el efecto del ruido. 2 0 min 1 2 1 5 5 T ω δγ δα F M c ω γ 骣 骣 = + + + 琪 琪 桫 桫 AMPLIFICADORES DE BAJO RUIDO 5.0 Amplificador de transresistencia. Modelo simplificado de peque? a se? al ? Es la segunda etapa del LNA. ? Está formado por un seguidor d

您可能关注的文档

文档评论(0)

jinzhuang + 关注
实名认证
内容提供者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档