电力电子技术答案方案.pdf

电力电子技术答案 2-1 与信息电子电路中的二极管相比， 电力二极管具有怎样的结构特点才使得其具有耐受高压和大 电流的能力？ 答： 1. 电力二极管大都采用垂直导电结构， 使得硅片中通过电流的有效面积增大， 显著提 高了二极管的通流能力。 2. 电力二极管在 P 区和 N 区之间多了一层低掺杂 N 区，也称漂移区。 低掺杂 N 区由于掺杂浓度低而 接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体， 由于掺杂浓度低， 低掺杂 N 区就可以承受很高的电压而不 被击穿。 2-2. 使晶闸管导通的条件是什么？ 答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并 在门极施加触发电流（脉冲） 。或： uAK0且 uGK0。 2-3. 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？ 答：维持晶闸管导通 的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。 要使晶闸管由导通变为关断， 可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降 到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。 2-4 图 2-27 中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形， 各波形的电流最大值均为 I m ，试计算 各波形的电流平均值 I d1、 I d2、 I d3 与电流有效值 I 1、 I 2 、 I 3 。 1 Im 2 4 Im sin( t ) ( 1) 0.2717 Im 解： a) I d1 = 2 2 2 1 2 Im 3 1 (Im sin t ) d(wt ) 0.4767Im I 1= 2 4 2 4 2 1 Im 2 Imsin td (wt ) ( 1) 0.5434 Im b) I d2= 4 2 2 1 2 2 Im 3 1 (Im sin t ) d(wt ) 0.6741Im 4 2 4 2 2 I = 1 1 2 Im d ( t ) Im c) I d3= 2 0 4 1 2 1 2 Im d( t ) Im