光伏发电技术基础 知识点3 单晶硅和多晶硅太阳电池 PECVD资料.ppt

PECVD设备结构 真空系统 真空泵：每一根石英管配置一组泵，包括主泵和辅助泵。 蝶阀：可以根据要求控制阀门的开关的大小，来调节管内气压的 SiNA系统 设备核心 PECVD等离子体产生图例 面板介绍 面板介绍 光电工程学院 山东理工职业学院 光伏发电技术基础 定义 PECVD定义 Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition 等离子增强的化学气相沉积 工艺目的介绍 在电池片正表面镀一层减反增透膜，减少光的反射，增加电池对光线的吸收。 对电池的正表面进行H钝化 对电池正表面进行保护，防止氧化。 PECVD原理 PECVD 技术原理是利用强电场或者磁场使所需的气体源分子电离产生等离子体，等离子体中含有很多活性很高的化学基团，这些集团经一系列化学和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜。 反应室所需温度为400，压强为0.1Mba 所用气体 本设备的工艺气体为SiH4和NH3，气体流量SiH4为1660sccm,NH3为4000sccm.二者均有毒，且SiH4易燃易爆； 4NH3+3SIH4=SI3N4+12H2 H2:降低载子再结合机会，载子越少，晶片生命周期越长。 在沉积工艺中，伴有大量的氢原子和氢离子的产生，使得晶片的氢钝化性十分良好。 所用气体 N2：稀释尾气中的硅烷 氢钝化：钝化硅体内的悬挂键等缺陷。在晶体生长中受应力等影响造成缺陷越多的硅材料，氢钝化的效果越好。氢钝化可采用离子注入或等离子体处理。在多晶硅太阳电池表面采用PECVD法镀上一层氮化硅减反射膜，由于反应物分解时产生氢离子，对多晶硅可产生氢钝化的效果。 应用PECVD Si3N4可使表面复合速度小于20cm/s。 N2 机械泵抽气速率下降的原因是由于随着工作时间的延续，泵体温度升高，即使采用风冷或水冷装置仍难以维持抽速不变，因为机械泵从反应室不断抽出的毕竟是250℃以上温度的加热气体。解决这一问题可以考虑除了反应气体之外，另加一股调节用的氮气，每次淀积时保持有效反应气体流量不变而不断减少氮气来补偿抽气速率的降低，从而维持气体压力不变。可是如果这股氮气通过反应室的话，将使反应气体的浓度改变，反而会使淀积更加紊乱。我们可以考虑把这股调节氮气设计成从反应室与机械泵之间进去而不经过反应室，这样不对设备作任何机械加工就可达到预期目的。 等离子体 等离子体：气体在一定条件下受到高能激发，发生电离，部分外层电子脱离原子核，形成电子、正离子和中性粒子混合组成的一种形态，这种形态就称为等离子态，即第四态。 SINx薄膜 正常的SiNx的Si/N之比为0.75，即Si3N4。但是PECVD沉积氮化硅的化学计量比会随工艺不同而变化，Si/N变化的范围在0.75-2左右。除了Si和N，PECVD的氮化硅一般还包含一定比例的氢原子，即SixNyHz或SiNx:H SINx薄膜 Si3N4的认识: Si3N4膜的颜色随着它的厚度的变化而变化，其理想的厚度是75—80nm之间，表面呈现的颜色是深蓝色，Si3N4膜的折射率在2.0—2.5之间为最佳，与酒精的折射率相乎，通常用酒精来测其折射率。  SINx薄膜 氮化硅颜色与厚度的对照表 颜色 厚度（nm） 颜色 厚度（nm） 颜色 厚度（nm） 硅本色 0-20 很淡蓝色 100-110 蓝 色 210-230 褐 色 20-40 硅 本 色 110-120 蓝绿色 230-250 黄褐色 40-50 淡 黄 色 120-130 浅绿色 250-280 红 色 55-73 黄 色 130-150 橙黄色 280-300 深蓝色 73-77 橙 黄 色 150-180 红 色 300-330 蓝 色 77-93 红 色 180-190 　 　 淡蓝色 93-100 深 红 色 190-210 　 　 SINx薄膜 Si/N比对SiNx薄膜性质的影响 电阻率岁x增加而降低 折射率n随x增加而增加 腐蚀速率随密度增加而降低 SINx薄膜 Si3N4膜的作用: 减少光的反射:良好的折射率和厚度可以促进太阳光的吸收。 防氧化:结构致密保证硅片不被氧化 PECVD种类 管式PECVD 直接法 板式PECVD PECVD 微波法