电子教案模拟电子技术第四章放大电路的频率响应.docx

第四章 —▼ — ▼A S3茨电圃的蹶辱咆应 4.1放大电路的频率性 4.2多级放大器的频率响应 小结 41放大电路的频率性 引言 4.1.1简单RC低通和高通电路的频率特性 4.1.2晶体管以及其单级放大电路的频率特性 4.1.3集成运算放大器高频参数及其影响 模 拟电子技术 1?幅频特性和相频特性 戌=人（/）Z0（/） rAM（/）—幅频特性 ［仅/）—相频特性 几一下限截止频率 /h—上限截止频率 2.频带宽度(带宽)BW(Band Width) 模 拟电子技术 4.1.1简单i?C低通和高通电路的频率特性 一、RC低通电路的频率特性 1.频率特性的描述 :_U._ 1/jM Au - 1 S R + l/j(oC l + ja)RC 1+i7 Th 令\IRC =轴 则 /H = l/2nRC 模 拟电子技术 0.70 - 7 乂 0 M o ■ -45- -90- 幅频特性1 i Au - /_1 /+(//九)2 1 、 1 1 1(P = -arctan ///H 滞后 L f =0 时,1 = 1 ;0 = 0 相频特性1 =0.707 ； (p = -45° / = /h 时| / /h 时，念 T 0 ； (p — —90° 模 拟电子技术 八AC高通电路的频率特性 八从_ R — 1 -joM U. R + 1/j(dC l + l/j(oRC U；令 LRC =0^\fL= 1/2TZRC 1 J1 +(/l//)2 /^10/l 201glAJ = 0dB f 二 fl 201glAJ = 201g0.7071 = -3 dB 0 = 45 f0.1A 201glAJ = -201g///H (DM 0 o = arctan/L/ f 超前 例4?1?1求已知一阶低通电路的上限截止频率。 ―□— lkQ) ―□— lkQ )lkl 0.0 I t戴维宁定理等效 T苗 —c _1=1—— 1//1 kQ 1 /h = 2nRC ~ 2x3.14x0.5kQx0e01gF = 3L8 (kHz) 例5?1?2已知一阶高通电路的/l=300 Hz,求电容C ~a~~Il~~i C = —- 500 QC2k2叭R i 2 x 3.14 x 300 Hz x 500 QC 2k =0.212 (|llF) 模 拟电子技术 4.1.2晶体管及其单级放大电路的频率特性 一、单级阻容耦合放大器的中频和低频特性 —1 ?中频特性 一+%c2Tl2v 一+% c2 Tl2 v $眯 MSOA ~^L_A MSO (P = -180° 2?低频特性：极间电容视为开路 耦合电容G、C2与电路中电阻串联容抗不能忽略二 模 拟电子技术 Ci /； AL1—二Rs n rb以() Ci /； A L1—二 Rs n rb 以() Rs a Rc 卜二 t/j fbe0 3 f B 空〉rb4 u=Ejf usO S A“sO +(/ L//)2 /L = {max (/L1，/L2)}厂-180+如(九仃) 结论：频率降低,Aus随之减小，输出比输入电压 相位趨负 二、单级放大器的高频性 1.晶体三极管的混合兀型等效电路 eg几 eg几pF,限制着 放大器频带的展宽 因〃值随频 率升高而降 低，高频下 不能釆用H 参数等效电 路。 2.0与频率/的关系 P AI— 0.707几-- 11__ O 可求得:0 二 0.707%0=1〃一共发射极截止频率f /t 可求得: 0 二 0.707% 0=1 〃一共发射极截止频率 f /t 特征频率 f0 /t f - 1 f gm Jr = 2兀G，e + Cb，c 厂 M 1 =(1+A)A 同样可求得：f =— 2哄（比+ =） 模 拟电子技术 3.晶体管单级放大电路高频特性 B rbb Br G CE密勒等效 B rbb Br G C E密勒等效 （CP C2视为短路） Cm二(1 + gm^’L)Cb，c Brbb B‘ C e E 在输出回 处=i/Rt /h = 1/2 兀 路略去de 模 拟电子技术 Rt = （Rs + r bbJ〃5e G = Q/e + °M = °b p+（】+ gm^’L）Q/c 增益带宽积 5认皿￡启評数） A usO + rbbr + rbre A =冬=九0 HS S 1 +矚 结论：频卒升高，A”减 小 输出相位滞后 增益带宽积为常数 〔、完整的单管共射放大电路的频率特性 将前面画出的单管共射放大电路频率特性的中频段、 低频段和高频段画在同一张图上就得到了如图所示 的完號的频率特性（波特）图。 a 201g/lu.s/dB 201g/lustti +20dB/十倍频程 i ；-20dB/+ 倍频程/ ； O.lfL