显影蚀刻工艺调试.docx

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2020-10-24 发布于天津
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显影蚀刻工艺调试孑录一名词解释关键尺寸也称线宽衡量芯片制造工艺的指标线宽越小芯片的集成度越高其性能越好焦深指光学镜头的可聚焦范围在该范围内图像能够清晰成像为能够保证光胶完全曝光焦深必须能够覆盖光刻胶层的上下表面曝光剂量曝光强度曝光时间单位最佳感光剂量用此剂量曝光聚焦误差对影响最小曝光机在生成图形时由于存在机械运动会造成偏移采用曝光可获得最优的图形均匀性是对所有测量值统计的标准偏差误差是所有测量值最大值和最小值的差值显影后测量般用于检测曝光机和显影机的性能指标由于不能通过透射光测量所以一般通过电子

显影蚀刻工艺调试孑录一. 名词解释 CD Critical Dimension ，关键尺寸，也称线宽。衡量芯片制造工艺的指标。线宽越小，芯片的集成度越高，其性能越好。 DOF Depth of Focus,焦深，指光学镜头的可聚焦范围。在该范围内图像能够清晰成像。为能够保证光胶完全曝光，焦深必须能够覆盖光刻胶层的上下表面。 DOSE 曝光剂量。DOSE=曝光强度X曝光时间，单位： mJ/ cm?。 ISOFOCAL DOSE 最佳感光剂量。用此剂量曝光，聚焦误差对 CD 影响最小。曝光机在生成图形时，由于存在机械运动，会造成 FOCUS 偏移。采用 ISOFOCAL DOSE