电子技术基础项目一限幅电路.ppt

项目一限幅电路 知识目标 ? 了解半导体的导电特点 ? 掌握二极管的特性 ? 掌握限幅电路的工作原理 技能目标 ? 掌握 multisim 仿真软件的使用方法 ? 掌握电路的仿真分析方法 ? 学会使用常用电子仪器 ? 会用万用表判断二极管的极性和好坏 知识链接 ? 链接一 半导体的基本知识 ? 链接二 半导体二极管 ? 链接三 multisim 仿真软件 项目实训 ? 任务一 常用电子仪器的使用 ? 任务二 常用电子元器件的识别（一） ? 任务三 限幅电路的仿真分析 链接一 半导体的基本知识 一、半导体基本知识 ? 半导体器件是用半导体材料制成的电子器件。 常用的半导体器件有二极管、三极管、场效 应晶体管等。半导体器件是构成各种电子电 路最基本的元件。 1. 本征半导体 根据物体导电能力 ( 电阻率 ) 的不同，来划分导 体、绝缘体和半导体。 典型的半导体有 硅 Si 和 锗 Ge 以及 砷化镓 GaAs 等。 半导体有 温敏、光敏 和 掺杂 等导电特性。 本征半导体 ------- 纯净的具有晶体结构的半导体称为本征半导体。 硅 ( 锗 ) 的原子结构 Si +14 2 8 4 Ge +32 2 8 18 4 +4 硅 锗 硅 ( 锗 ) 的原子结构简化模型 ? 半导体构成共价键结构，原子最外层的 4 个价 电子分别和周围 4 个硅原子的价电子形成共用 电子对，原子之间通过共价键紧密结合在一 起 . ? 本征半导体中存在数量相等的电子和空穴两 种载流子。热激发产生的自由电子和空穴是 成对出现的，电子和空穴又可能重新结合而 成对消失。在一定温度下自由电子和空穴维 持一定的浓度。 2. 杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可 使半导体的导电性发生显著变化。 掺入杂质的本征半导体称为 杂质半导体 。 为了尽量保持半导体的原有晶体结构，掺入的杂质 主要是微量的价电子数较为接近的三价或五价元素。 N 型半导体 —— 掺入五价杂质元素（如磷） 的半导体。 P 型半导体 —— 掺入三价杂质元素（如硼） 的半导体。 1) N 型半导体 因五价杂质原子中只有四个价电子能与周围四个半 导体原子中的价电子形成共价键，而多余的一个价电子 因无共价键束缚而很容易形成自由电子。 在 N 型半导体中 自由 电子是多数载流子， 它主要由杂质原 子提供 ； 空穴是少数载流子 , 由热激发形成。 提供自由电子的五价杂质原子因带正电荷而成为 正离子 ， 因此五价杂质原子也称为 施主杂质 。 2) P 型半导体 因三价杂质原子在与硅原子形成共价键时， 缺少一个价电子而在共价键中留下一个空穴。 在 P 型半导体中 空穴是多数载流子， 它主要由掺 杂形成 ； 自由 电子是少数载流子， 由热激发形成。 空穴很容易俘获电子，使杂质原子成为 负离子 。 三价杂质 因而也称为 受主杂质 。 ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ N 型半导体 P 型半导体 图 1-3 N 型和 P 型半导体的两种载流子 结论 ? 掺杂半导体掺入的杂质的浓度越高，多数载 流子的数量越多。 ? 少数载流子是热激发而产生的，其数量的多 少决定于温度。 ? 无论是 P 型半导体还是 N 型半导体都是中性的， 对外不显电性。 3. PN 结 及其特性 在一块本征半导体在两侧通过扩散不同的杂质 , 分别 形成 N 型半导体和 P 型半导体。此时，将在 N 型半导体 和 P 型半导体的结合面上形成 PN 结 。 PN 结的形成 对于 P 型半导体和 N 型半导体结合面，离 子薄层形成的 空间电荷区 称为 PN 结 。 在空间电荷区，由于缺少多子，所以也 称 耗尽层 。 将在 N 型和 P 型半导体的结合面上发生如下物理过程 : 因浓度差 多子的扩散运动 ? 由杂质离子形成空间电荷区 ? 空间电荷区形成内电场 ? ? 内电场促使少子漂移 内电场阻止多子扩散 最后 , 多子