电子控制技术数字集成电路.docx

江苏凤凰电子音像出版社有限公司 第三章 电毛控制系统的信号处理 普通高中课程标准沁佥教科半 通用技术 选修1 数字集成电路（共2课时） 成电路的类型 晶体三极管的开关特性 Rbb02Is Rb b 0 2 Is !=□ Ic r VI T冬Z念 NPN型晶体管。电阻％为基极电阻，电阻心为集电极电阻，晶体三极管T 的基极b起控制的作用，通过它来控制开关开闭动作，集电极c及发射极e形 成开关两个端点，由b极来控制其开闭，c、e两端的电压即为开关电路的输 出电压沧。当输入电压匚为高电平时，晶体管导通，相当于开关闭合，所以 集电极电压乙~0,即输出低电平，而集电极电流厶~匕/佗。当输入电压乙 为低电平时，由图可见，晶体管截止，相当于开关断开，所以得集电极电流 ，c0,而集电极电压匕~匕，即输岀为高电平。这就是晶体三极管的理想 稳态开关特性。 一 晶体三极管的开关特性及其数字电路中的应用 数字集成电路是将元器件和连线集成于同一半导体芯片上而制成 的数字逻辑电路或系统。根据数字集成电路中包含的门电路或元、器 件数量，可将数字集成电路分为小规模集成(SSI)电路、中规模集 成MSI电路、大规模集成(LSI)电路、超大规模集成VLSI电路和特大 规模集成(ULSI)电路。 d)金n耒圖形 (c)竿列fi［插式 晶体三极管的开关特性及其数字电路中的应用 在数字电路中，用电平的高和低来代表逻辑1和逻辑0。 不同类型的逻辑电路，其高、低电子的电压值有不同的界定规则。 电路 类型 高电平 低电平 标称值 范围 标称值 范围 TTL 3 V 2.4 ~ 5 V 0.3 V 0 ~ 0.8 V CMOS 5\上 3 - 5 V 0 V 0-2 V * CMOS电路的电源电压为5V时的情况 高电平区 低电半区 高、低电平示意图 在右图所示用电阻和 开关构成的电路中，开关 闭合，开关所呈现的电阻 为0,使得开关两端的电 压也就是输出电压为0, 输出低电平；反之，若开 关断开，因为电阻R上没 有电流流过，R上的电压 为0,所以输出电压等于 电源电压，即输出高电平。 因此，用开关可以实现高、 低电平，这是构成门电路 门电路中的开关不能使用 机械开关，因为机械开关不仅 体积大、寿命短、操作不方便, 而且开关的速度低。在现代高 速电子控制系统中，开关每秒 可能要开合上亿次，机械开关 是绝对无法胜任的，必须使用 电子开关，即用晶体管或MOS 管（金属氧化物半导体场效应 管）做成的开关。例如，用晶 体三极管代替图中开关得到的 电路如右图所示。 晶体管非门电路 试验目的： 观察晶体三极管 的开关特性。 试验准备： 晶体三极管 3DK4C 1 只， 10kQx 2.2kQ电 阻各1只，3V （或 5V）电源1只，多 用电表。 试验过程: 在电路试验板上按图搭接电路，并在下列各空格处填入试验结果。 （1） 将输入端接地，用多用电表测量电阻Rc两端的电压U「二 0 V. 此时晶体三极管集电极的电流? 很小 傾“很大”或“很小）,三极 管处于 截止（填“导通或“截止”）状态；三极管集电极c与发射极e 之间的电压归二 V,属于 高 （填“高”或“低”）电平。 （2） 将输入端接3V电压，用多用电表测量电阻两端的电压U「二28 V. 此时晶体三级管集电极的电流Ice 傾“很大或“很小”）， 三极管处于 导通 （填“导通“或“截止“）状态；二极管集电极C与发 射极e之间的电压归二0.2 V.应属于 低 （填“高”或“低「电平。 （3） 用发光二极管高、低电平检测器检测（1）、（2）两种情况下电路的输 入端和输出端，判断该电路的逻辑功能。 试验总结: 晶体三极管是否可以当做开关使用？为什么? 晶体三极管的开关效应 晶体三极管的开关效应 晶体三极管存在截止和饱和两种状态。截止状态相当于开关断开, 饱和状态相当于开关闭合，因而可以当作开关使用，其条件与现象是: 饱和：条件 饱和：条件 输入信号足够大（高电平）;现象一一三极管流过 的电流较大，而集电极与发射极之间的电压只有0.2V左右（低电平）。 截止：条件一一输人信号足够小（低电平）；现象一一三极管没有 电流流过，集电极与发射极之间的电压与电源电压相近（高电子）。 由于加到三极管基极的信号不是高电平，就是低电平，因此晶体三 极管工作于开关状态，即不是工作于饱和状态，就是工作于截止状态。 我们通常称这种信号为开关信号（即数字信号）。 场效应晶体三极管的开关效应 另一种常作为门电路中开关使用的器件是 金属氧化物半导体场效应晶体三极管，即MOS 管，它和双极型晶体三极管一样也有三个极： 源极S、栅极G和漏极D。这三个极和双极型晶 体三极管的各电极的对应关系是： 源极相当于发射极，通常接地； 漏极相当于集电极，通常通过电阻接电源; 栅极