光伏电池硅片刻蚀.ppt

主要内容 刻蚀及去PSG目的 刻蚀及去PSG原理 RENA工艺流程 工艺常见问题以及解决方法 刻蚀工艺岗位职责 注意事项  刻蚀及去PSG目的 1.1刻蚀目的 由于在扩散过程中,即使采用背靠背的单面扩散方 式,硅片的所有表面(包括边缘)都将不可避免地扩 散上磷。PN结的正面所收集到的光生电子会沿着边缘 扩散有磷的区域流到PN结的背面,而造成短路,此短 路通道等效于降低并联电阻。□ 经过刻蚀工序,硅片边缘带有的磷将会被去除干净, 避免PN结短路造成并联电阻降低。  去PSG目的 由于在扩散过程中氧的通入,在硅片表面形成一层Si02,在高 温下POC13与02形成的P205,部分P原子进入Si取代部分晶格上的S 原子形成n型半导体,部分则留在了Si02中形成PSG  磷硅玻璃的存在使得硅片在空气中表面容易受潮,导致电流的降 低和功率的衰减。 死层的存在大大增加了发射区电子的复合,会导致少子寿命的降 低,进而降低了Voc和Isc。 磷硅玻璃的存在使得PECV后产生色差,在 PECVD工序将使 镀的SⅸNy容易发生脱落,降低电池的转换效率  湿法刻蚀及去PSG原理 2.1湿法刻蚀原理:利用HN∞3和HF的混合液体对扩散后硅片下表面和边缘进行腐 蚀,去除边缘的N型硅,使得硅片的上下表面相互绝缘。 B6888 液面 ■3Si+4HNO3+18HF=3H2[siF6]+4N02↑+8H20  OREM IPSUM DOLOR 2.2去PSG原理 SIO2+4HF=SiF4+2H20 SiF4+2HF=H2[SIF6] Sio2+ 6HF=H2[SiF6]+2H20 去PSG工序检验方法 当硅片从HF槽出来时,观察其表面是否脱水,如果脱水, 则表明磷硅玻璃已去除干净;如果表面还沾有水珠,则表明 磷硅玻璃未被去除干净,可在HF槽中适当补些HF  、 RENA InOxSide工艺流程 制绒槽 水洗槽 扩散后接收 碱洗槽 Rena inoxside 水洗槽 酸洗槽 下片 水洗槽 传递过程 吹干槽  刻蚀设备 6.°  RENA InOx Side的主体分为以下七个槽,此外还有 滚轮、排风系统、自动及手动补液系统、循环系统和温 度控制系统等 ch bath Kinsel Rinse F bath Rinses Diver