射频微波隔直耦合电容的选择.docx

耦合电容的选取 耦合与隔直电容串联在电路中，耦合电容选择适当能将保证射频能量得到最 大限度的传输。 一个实际电容能否满足电路耦合要求，取决于随频率变化的电容相关参数： 串联谐振频率FSR、并联谐振频率FPR、纯阻抗、等效串联电阻ESR、插入损 耗IL和品质因数Q。 一 一 上图50Q线路中的两个射频放大器由耦合电容 Co连接，Rs为ESR, Ls为 ESL, Cp为寄生并联电容，与并联谐振频率 FPR有关。 阻抗幅值：|Z| JeSR2 (Xl-Xc)2，很大一部分取决于其纯电抗(Xc-Xl)， 设计者需要知道电容在整个频带上的阻抗幅值。 串联谐振频率:FSR ，即自谐振频率，与本征容值 Co有关；此 串联谐振频率: FSR 2 、 LsCo 频率时，耦合电容阻抗的实部为 ESR，虚部为零 ATC耦合电容有关参数如下： {MHz) FSR (MHz) KdB) ESR IKS L_ 荒件尺寸 900 100AW1 - 100 pF 1000 0d 0,072 55 mil x 55 mil W0S101 - 100 pF 134Q Q,1 OL070 0?03 1900 100A270- ■27 pF 1070 ai 0J61 55 mir x 55 mil eoosseo- ” 56 pF 1S9Q 0?03 2400 100A160 - ■16 pF 2410 0.1 OZ18 55 mil X 55 mi 6Q0S390- ? pF 2340 0-1 OJ40 (W03 其中，瓷介质电容 ATC100A101 (100pF)的 FSR=1GHz, ESR=0.072Q,其 Z-F曲线如下图所示： 阻抗对频率 阻抗对频率 频率低于FSR时，电容纯阻抗表现为容性，阻抗幅值为 —，为双曲线; C 频率高于FSR时，电容纯阻抗表现为感性，阻抗幅值为 L，为直线； 测量电容的S21可发现： 在FSR时，电容提供最低阻抗通道； 在FPR时，电容阻抗猛然升高，引起极大损耗。 在耦合线路中，工作频率比FSR稍高。只要此时电容的纯阻抗（感性）不高, 就不影响电路性能。 并联谐振频率FPR，决定电容的带内插损。在电容的FPR处有明显衰减槽 口，若FPR落在工作频带内，则要考察衰减槽口深度，线路能否承受该损耗。 通常十分之几dB的插损是可接受的。 ATC100A101（ 100pF片式电容，水平安装，电容极板平行于线路板）插损 与频率关系如下图： iffiX（GH 7 ） 由上图可知，在200MHz~1.5GHz之间，电容插损v 0.1dB;若将电容垂直安 装，即电容极板垂直于线路板，就能压制 1.6GHz处的并联谐振窗口，电容的可 用范围扩展到2.4GHz左右。所以改变安装取向可扩展电容的适用频率范围，用 于宽带耦合电路。 等效串联电阻ESR和品质因数Q : ESR是电容内所有串联损耗的总和，由介质损耗 Rsd和金属损耗Rsm组成， 一般为mQ级。ESR Rsd Rsm 介质损耗Rsd，由介质材料特性决定，每种介质材料都有自己的损耗系数， 通常称损耗正切或耗散系数（DF）。损耗造成介质发热，极端情况下使元件失效。 耗散系数（DF）是介质损耗很好的指示，通常在低频（1MHz）时测得，因为该 损耗在低频时起主导作用。 金属损耗Rsm，由电容中所用金属材料的导电性决定，包括电极板、终端和 阻挡层等，Rsm造成电容发热，极端情况下使元件失效。 高频时，这些损耗包括 趋肤效应”损耗程度和频率关系为鞋。 产品说明中的“ ES顽率”曲线通常集中在金属损耗为主的频率范围内， 介质 损耗可忽略不计。 X XX 品质因数：q 上也 二—乞，即电容纯电抗与ESR的比值。 ESR ESR 设计者需知道电容在整个工作频带内，特别是高于 FSR时的ESR，在趋肤 效应开始影响损耗时，ESR正比于f，此时趋肤效应为主要损耗来源。衰减槽 口在FPR处产生，槽口深度与 ESR成反比，所以电容的ESR对FPR处的衰减 槽口影响很大。 隔直电容取值：（旁路电容也按此取值） 100MHz 取 1000pF 400MHz 取 100pF 900MHz 取 33pF 1.2GHz 取 10pF 2.5GHz 取 5pF 10GHz 取 1~2pF 0.8pF 大于2GHz采用陶瓷微波芯片电容 经验公式：C - —，f为要通过的最低频率。 5 2 f 30 f 100kHz信号用0.01uf电容测的输出为-5dbm，换成0.1uf的，输出为 5dBm。 除满足x=1/wc外，频率太高时要考虑q值，要用高q值微波电容 微波去耦电容也有用微带线设计，有扇形，有方形，尺寸和工作频率相关