从安全工作区探讨IGBT的失效机理.pdfVIP

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  • 2020-11-02 发布于贵州
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从安全工作区探讨 IGBT 的失效机理 摘要: 本文阐述了各安全工作区的物理概念和超安全工作区工作的失效机理。 讨论了短 路持续时间 Tsc 和栅压 Vg、集电极—发射极导通电压 Vce(on) 及短路电流 Isc 的关系。 1、 引言 半导体功率器件失效的原因多种多样。 换效后进行换效分析也是十分困难和复杂的。 其 中失效的主要原因之一是超出安全工作区( Safe Operating Area 简称 SOA)使用引起的。 因此全面了解 SOA,并在使用中将 IGBT 的最大直流电流 IC 和集电极—发射极电压 Vce 控制 在 SOA之内是十分重要的。 SOA分为正偏安全工作区 (FBSOA)、反偏安全工作区( RBSOA)、 开关安全工作区( SSOA)和短路安全工作区( SCSOA)。 2、 各安全工作区的物理概念 IGBT 的

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