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2020-11-04 发布于中国
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mos管驱动电流计算.docx

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第一种第一种 : 可以使用如下公式估算： Ig=Qg/Ton 其中： Ton=t3-t0 ≈ td(on)+tr td(on) ： MOS 导通延迟时间，从有驶入电压上升到的时间。 10%开始到 VDS下降到其幅值 90% Tr：上升时间。输出电压 VDS从 90%下降到其幅值 10%的时间 Qg=（ CEI） (VGS)或 Qg=Qgs+Qgd+Qod （可在 datasheet 中找到）第二种：（第一种的变形）密勒效应时间（开关时间） Ton/off=Qgd/Ig ； Ig=[Vb-Vgs(th)]/Rg ； Ig： MOS 栅极驱动电流； Vb：稳态栅极驱动电压；第三种：以 IR 的 IRF640为例，看 DATASHEET里有条 Total Gate Charge 曲线。该曲线先上升然后几乎水平再上升。水平那段是管子开通（密勒效应）假定你希望在内使管子开通，估计总时间（先上升然后水平再上升）为，由 Qg=67nC和可得： 67nC/=，当然，这是峰值，仅在管子开通和关短的各里有电流，其他时间几乎没有电流，平均值很小，但如果驱动芯片不能输出这个峰值，管子的开通就会变慢。