1506第十五章场效应管(6).pptVIP

三、场效应管的主要参数 ? 直流参数 [ 开启电压 V T (U GS (th)] 增强型管的参数。 [ 夹断电压 V P U GS (off) ] 耗尽型管的参数。 [ 饱和漏极电流 I DSS ] 指耗尽型管在 v GS =0 时的漏极电流。 [ 输入电阻 R GS(DC) ] 因 i G =0 ，所以输入电阻很大。 JFET 大于 10 7 Ω， MOS 管大于 10 12 Ω 。 ? 交流参数 [ 低频跨导 ( 互导 ) g m ] ? i D g m ? ? v GS v DS ? const 跨导 g m 是一个 表示场效应管放大能力 的参 数 , 反映了栅源电压对漏极电流的控制能力， 且与工作点有关，是转移特性曲线上过 Q 点切线的斜率。 g m 的单位是 mS 。 ? v DS r ds ? [ 交流输出电阻 r ds ] v GS ? const ? i D r ds 反映了漏源电压对漏极电流的影响程度， 在恒流区内，是输出特性曲线上过 Q 点的切 线斜率的倒数。其值很高 , 一般为几十kΩ。 ? 极限参数 [ 最大漏 - 源电压 V (BR)DS ] 漏极附近发生雪崩击穿时的 v DS 。 [ 最大栅 - 源电压 V (BR)GS ] 栅极与源极间 PN 结的反向击穿电压 。 [ 最大耗散功率 P DM ] 同三极管的 P CM 相似。当超过 P DM 时， 管子可能烧坏。 15.11.3 场效应管放大电路 场效应管具有高输入电阻的特点 , 它适用于作为多级 放大电路的输入级 , 尤其对高内阻信号源 , 采用场效 应管才能有效放大 . 和三极管相比，场效应管的源极、漏极、栅极 分别对应于三极管的发射极、集电极、基极 三种基本组态： 共源 (CS) 、 共漏 (CD) 和 共栅 (CG) 场效应管组成放大电路的原则和方法与晶 体管相同：为使场效应管正常工作，各电极 间必须加上合适的偏置电压；为了实现不失 真放大，也同样需要设置合适且稳定的静态 工作点。 场效应管是一种电压控制器件，所以它的 偏置电路有其自身的特点。 ? 不同 FET 类型对偏置电压的要求 种类 增强型 NMOS PMOS N 结型 耗尽型 P 结型 NMOS PMOS 电压 v GS v DS 正 正 负 负 负 正 正 负 负 ( 或正 ) 正 ( 或负 ) 正 负 FET 偏置电路类型： ? 固定偏置电路 ? 自偏压偏置电路 ? 分压式自偏压电路 一、场效应管的直流偏置和静态工作点计算 ? 自给偏压偏置电路 （只适用于耗尽型 FET ） 放栅极感生电荷，通常 取 0.1 MΩ～ 10 MΩ。 R s 为源极偏置电阻，作 用类似于共射电路的 R e ， 可以稳定电路的静态工 作点 Q 。 R g 为栅极泄放电阻，泄 自偏压电路 由于 I G ＝ 0 ，所以 R g 上 无直流压降， V G ＝ 0 。 由于耗尽型 FET 在 V GS ＝ 0 时存在导电沟道， 所以电路有漏极电流 I D 。 U GS ? V G ? V S ? ? I D R s 显然它是自给 偏压 U GS 自偏压电路 ? 分压式偏置电路 ? 适用于耗尽型和增强 型 FET V GS ? V G ? I D R s ? V DD R g 2 R g 1 ? R g 2 ? I D R s 上式称为偏压线方程 对 N 沟道耗尽型 ,U GS 为负值 , 所以 I D R s V G ; 对 N 沟道增强型 ,U GS 为正值 , 所以 I D R s V G ; ? 静态工作点的计算 ? 图解法求静态工作点 由转移特性曲线和偏压线方程 ( 为一直 线 ) 求输入回路的工作点；由输出特性曲 线和直流负载线求输出回路的工作点。 ? 估算法求静态工作点 由 FET 的电流方程和偏压线方程两组方 程联立求解，通常舍去不合题意的一组 解，然后得到静态工作点。 【例 1.3.1 】 已知 V DD =18V ， R s =1kΩ， R d =3kΩ， R g =3 MΩ，耗尽型 MOS 管的夹断电压 V P ( U GS (off)) =-5V ， I DSS =10mA 。试用估 算法求电路的静态工作点。 解： ? V GS ? ? I D R s ? ? I D ? 1 ? V GS 2 ) ? I D ? I DSS ( 1 ? V P ? ? V GS 2 ? ? 10 ( 1 ? ) 5 ? I D ? I D ? ? ? 10 ? ? 1 ? ? 5 ? ? 2 ? I D ? 2 . 5 mA ? I D ? 8 mA 不合题意， ? ? V ? ? 2 . 5 V V ? ? 8 V 舍去。 ( why ?)