光刻胶技术指标及种类.docxVIP

光刻胶技术指标及种类 在半导体制造领域，上游微电子材料和设备是支撑该行业的关键部分。上游微电子材料包括半导体制造过 程中用到的所有化学材料，包括硅片、光刻胶及辅助材料、光掩模、CMP 抛光材料、工艺化学品、溅射靶材、 特种气体等。其中，光刻胶是占据极其重要地位的关键原材料。由于中高端光刻胶的相关生产技术目前主要掌 握在日本手中，我国已加大政策扶持力度，力求加速在光刻胶领域的国产替代进程。 光刻是将电路图形由掩膜版转移到硅片上，为后续刻蚀工艺做准备的过程。光刻是 IC 制造过程中耗时最长、 难度最大的工艺之一，耗时占 IC 制造 50%，成本占 IC 制造 1/3。在一次芯片制造中，往往要对硅片进行上十次 光刻，其主要流程为清洗、涂胶、前烘、对准、曝光、后烘、显影、刻蚀、光刻胶剥离、离子注入等。在光刻 过程中，需在硅片上涂一层光刻胶，经紫外线曝光后，光刻胶的化学性质发生变化，通过显影后，被曝光的光 刻胶将被去除，电路图形由掩膜版转移到光刻胶上，再经过刻蚀工艺，实现电路图形由光刻胶转移到硅片上。 光刻胶是光刻工艺最重要的耗材，光刻胶的质量对光刻精度至关重要。光刻胶是指通过紫外光、准分子激 光、电子束、离子束、X 射线等光源的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀刻材料。由于光刻胶具有光化学 敏感性和防腐蚀的保护作用，因此经过曝光、显影、刻蚀等工艺，可以将微细电路图形从掩膜版转移到硅片。虽然光刻胶制造成本低，但是技术壁垒高，不可替代，难以保存。 光刻胶按照应用场景不同可分为半导体光刻胶、LCD 光刻胶、PCB 光刻胶。光刻胶处于半导体产业链的 材料环节，上游为基础化工材料和精细化学品行业，中游为光刻胶制备环节，下游为半导体制造，最后市场是 电子产品应用终端。 光刻胶的主要成分有光刻胶树脂、感光剂、溶剂和添加剂。光刻胶树脂是一种惰性的聚合物基质，是用来 将其它材料聚合在一起的粘合剂；光刻胶的粘附性、胶膜厚度等特性都是由树脂决定的。感光剂是光刻胶的核 心部分，它对光形式的辐射能，特别是在紫外区光的辐射能会发生反应；曝光时间、光源所发射光线的强度都 和感光剂的特性直接相关。溶剂是光刻胶中容量最大的成分；因为感光剂和添加剂都是固态物质，为了将他们 均匀地涂覆，要将它们加入溶剂进行溶解，形成液态物质，且使之具有良好的流动性，可以通过旋转方式涂布 在晶圆表面。添加剂可以用以改变光刻胶的某些特性，如可以通过添加染色剂来改善光刻胶，使其发生反射。 光刻胶的品种多种多样，基于感光树脂的化学结构，按技术可分为光聚合型、光分解型、光交联型三种。另外，正性和负性光刻胶是光刻胶的两个重要品类，光照后形成可溶物质的为正性胶，形成不可溶物质的为负 性胶。由于性能较优，正性光刻胶应用更广，但由于光刻胶需求量大，负性胶仍有一定的应用市场。 光刻胶最为重要的技术指标包括分辨度、对比度、敏感度。优秀的光刻胶必须具备高分辨度、高敏感度和 高对比度，以保证能将精密的图像从掩模版转移到硅片上。另外，光刻胶的技术要求高，所有的技术指标都必 须达标，因此除上述三个硬性指标外，好的光刻胶还必须具有强蚀刻阻抗性、高纯度、低溶解度、高粘附性、 小的表面张力、低成本、长寿命周期以及较高的玻璃化转换温度。 光刻胶有以下主要技术参数： 光刻胶应用领域宽阔，半导体光刻胶尤为重要 光刻胶经过几十年不断的发展和进步，应用领域不断扩大。在光刻胶不断发展进步的过程中，衍生出非常 多的种类，按照应用领域不同，光刻胶可以划分为半导体用光刻胶、液晶显示(LCD)用光刻胶、印刷电路板(PCB) 用光刻胶、其他用途光刻胶。其中，PCB 光刻胶壁垒相对较低，而半导体光刻胶代表着光刻胶技术最先进水平。 半导体光刻胶 半导体光刻胶根据曝光光源波长的不同来分类。常用曝光光源一共有六种，分别是紫外全谱（300～450nm）、 G 线（436nm）、 I 线（365nm）、深紫外（DUV，包括 248nm 和 193nm）和极紫外（EUV），相对应于各曝光波 长的光刻胶也应运而生。不同的光刻胶中，根据不同的需求，关键配方成份如成膜树脂、光引发剂、添加剂等 也有所不同，使得光刻胶有不同的性能，进而能够满足相应的需求。 目前主要的光刻胶有 G 线光刻胶、I 线光刻胶、KrF 光刻胶和 ArF 光刻胶四种，其基本信息如下所示。 为满足更高集成度更精密的集成电路制造，必须采用更短波长的光源，半导体光刻胶也需做出适应性改变。?随着 IC 集成度的提高，世界集成电路的制程工艺水平已由微米级、亚微米级、深亚微米级进入到纳米级阶段。光的波长对图形精细化转移有着至关重要的作用，因为它会影响感光材料分辨率。波长越短，则分辨率越高。为适应集成电路线宽不断缩小的要求，光刻胶的波长由紫外宽谱向 G 线(436nm)→I 线(365nm)→KrF(248