半导体物理学期末复习试题与答案三.docVIP

一、选择题。 1. 电离后向半导体提供空穴的杂质是（ A ），电离后向半导体 提供电子的杂质是（ B ）。 A. 受主杂质 B. 施主杂质 C. 中性杂质 在室温下，半导体 Si 中掺入浓度为 1014 cm 3 的磷杂质后，半导体 中多数载流子是（ C ），多子浓度为（ D ），费米能级 的位置（ G ）；一段时间后，再一次向半导体中掺入浓度为 1.1 1015 cm  3 的硼杂质，半导体中多数载流子是（  B ），多子 浓度为（  E ），费米能级的位置（  H ）；如果，此时温度 从室温升高至  550K  ，则杂质半导体费米能级的位置 （  I  ）。（已 知：室温下，  ni  1010 cm  3 ； 550K 时，  ni  1017 cm  3 ） A. 电子和空穴  B.  空穴  C.  电子 D. 1014 cm  3  E.  1015 cm  3  F.  1.1 1015 cm  3 G. 高于  Ei  H.  低于  Ei  I. 等于  Ei 在室温下，对于 n 型硅材料，如果掺杂浓度增加，将导致禁带宽 度（ B ），电子浓度和空穴浓度的乘积 n0 p0 （ D ） ni2 ， 功函数（ C ）。如果有光注入的情况下，电子浓度和空穴浓 度的乘积 np （ E ） ni2 。 A. 增加  B.  不变  C.  减小 D. 等于  E.  不等于  F.  不确定 4. 导带底的电子是  (  C )  。 带正电的有效质量为正的粒子 带正电的有效质量为负的准粒子 带负电的有效质量为正的粒子 带负电的有效质量为负的准粒子 P 型半导体 MIS 结构中发生少子反型时，表面的导电类型与体材 料的类型（ B ）。在如图所示 MIS 结构的 C-V特性图中，代 表去强反型的（ G ）。 A. 相同 B. 不同 C. 无关  D. AB  段 E.CD段  F. DE  段 G. EF  和  GH段 6. P 型半导体发生强反型的条件（ B ）。 A. VS k0T ln N A B. VS 2k0T N A q ni q ln ni C. VS k0T ln N D D. VS 2k0T ln N D q ni q ni 由于载流子存在浓度梯度而产生的电流是 （ B ）电流，由于 载流子在一定电场力的作用下而产生电流是（ A ）电流。 A. 漂移 B. 扩散 C. 热运动 对于掺杂的硅材料，其电阻率与掺杂浓度和温度的关系如图所示， 其中， AB段电阻率随温度升高而下降的原因是（ A ）。 杂质电离和电离杂质散射 本征激发和晶格散射 晶格散射 本征激发 二、判断题。判断下列叙述是否正确，正确的在括号中打 “√”，错误的打“ X”。 与半导体相比，绝缘体的价带电子激发到导带所需要的能量比半 导体的大。 （ √ ） 砷化稼是直接能隙半导体，硅和锗是间接能隙半导体。 √ ） 室温下，对于某 n 型半导体，其费米能级在其本征半导体的费米 能级之下。 （ X ） 在热力学温度零度时， 能量比 EF 小的量子态被电子占据的概率为100%，如果温度大于热力学温度零度时，能量比 EF 小的量子态被 电子占据的概率为小于 50%。 （ X ） 费米分布函数适用于简并的电子系统，波耳兹曼分布函数适用于 非简并的电子系统。 （ √ ） 将 Si 掺杂入 GaAs中，Si 取代 Ga则起施主杂质作用，若 Si 取代 As 则起受主杂质作用。 （ √ ） 无论本征半导体还是杂质半导体，其电子浓度和空穴浓度的乘积 为常数，由温度和禁带宽度决定。 （ √ ） 一块半导体材料，光照在材料中会产生非平衡载流子，其中非平 衡载流子的寿命为τ。若光照忽然停止，经过τ时间后，非平衡 载流子全部消失。 （ X ） 在一定温度下，光照在半导体材料中会产生非平衡载流子，光照稳定后，由于电子空穴对的产生率与复合率相等，所以称为热平 衡状态，有统一的费米能级。 （ X ） 金属和半导体接触分为有整流特性的肖特基接触和非整流的欧姆 接触。 （ √ ） 三、分析题。 1. 对于室温下硅材料，假设载流子迁移率分别为 n 1350cm2 / V s ， 500cm2 / V s ，且认为不随掺杂而变化。 已知 q 1.6 10 19 C ，本 征 载 流 子 浓 度 ni 1010 cm 3 ， 硅 的 原 子 密 度 为 5 10 22 cm 3 ， N c N v 1019 cm 3 ， k0T 0.026eV ， ln 200 5.3。 （1）试计算本征硅的电阻率。 （2）当在本征硅中掺入百万分之