华擎B85M GQ19连电容坏导致不触发维修.docxVIP

华擎B85M-HDS REV 1.05 故障不触发，测开关针有3.3V 开关有3.3V高低高跳变，测IO芯片到南桥信号也有3.3V 也有高低高跳变。 两个高低高信号去正常，测一下RSMRST待机好信号发现不争。为0V 测到上拉电阻两端都为0V不正常。 上拉电压为3VSB。前面测开关针有3.3V了，看来这个主板采用深度睡眠。。追查3VSB来源 追查得知，为Q812 P沟道MOS管通过3VSB_A 转行而来，测P沟道G极为高电平不正常。 追查高电平来源。 通过点位图得出，G极连接一个电阻GR777，电阻另一端连接GQ17的3脚 1脚连接GR778电阻,GR778电阻另一端连接一个信号SLP_SUS(深度睡眠指示信号)追查SLP_SUS，一路去到桥，一路去到IO，（IO处连接电阻没装） 由于IO处没连接电阻没装，那就是桥直接控制的。桥没发出SLP_SUS信号。 追查桥待机的条件。桥供电VCCSUS3_3 待机电压正常，VCCDSW3_3深度睡眠电压正常 。DPWROK 深度睡眠好信号0V 不正常。。追查DPWROK信号。 测GQ2 3脚为0V 测GQ19 3脚为5V ，不正常,看GQ19 1脚电压为3VSB_A直接上拉，连接一个电容。。。断电测上拉电阻阻值没问题，测GQ19 1脚阻值只有130多。不正常。 拆除电容阻值变为无穷大。 测到1脚电压已有电压。DPWROK 电压正常。 RSM