施主受主对发光.docxVIP

4.4施主-受主对发光 半导体中杂质问也可能发生光跃迁。最典型的是半导体中的施主杂质与受主 杂质间的发光跃迁，俘获在施主上的电子跃迁到俘获有空穴的受主 上，也即与此空穴复合。在这过程中，这一对施主受主的状态由（D+eA-h） 变为（D+A 一），同时发出一个光子。这称之为 施主-受主对（DAP）发光。 这种发光在典型的III-V , II-VI化合物半导体中都被观察到。 DAP发光的激发有两种途径： （a） 带一带问激发产生（独立的）电子和空穴 一一个电子被离化的施主俘 获，而一个空穴被离化受主俘获，随后俘获的电子空穴复合发光； （b） 受主上的电子直接被激发到离化的施主能级上， D+A— T D+eAF , 然后D+eAF f D+A—复合发光（放出激发能）。 4.4.1施主-受主对发光的基本特点 考虑相距r的一对施主和受主，假定这样的系统开始时（初态）施主俘获有 一个电子，受主俘获有一个空穴，因而二者都是电中性的。这时该系统的能量， 即 跃迁初态能量，就是一对自由电子和空穴（能量等丁带隙），分别被施主， 受主俘获的状态的能量，它等丁 Ei = Eg - （Ed Ea） （4.4-1） 其中Eg为半导体的带隙，Ed和Ea分别为施主和受主的束缚能。 跃迁的终态， 施主和受主上俘获的载子复合掉了，留下了离化了的施主养口受主 ，分别 带一个有效电荷+e和-e。这时系统的能量就是离化的