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可控硅的工作原理 ( 带图 ) 可控硅的工作原理（带图） 一． 可控硅是可控硅整流器的简称。它是由三个 PN 结四层结构硅芯片和三个电极组成的半导体器件。图 3-29 是它的结构、外形和图形符号。 可控硅的三个电极分别叫阳极 (A) 、阴极 (K) 和控制极 (G) 。当器件的阳极接负电位 (相对阴极而言 )时，从符号图上可 以看出 PN 结处于反向， 具有类似二极管的反向特性。 当器件的阳极上加正电位时 (若控制极不接任何电压 ) ，在一定 的电压范围内，器件仍处于阻抗很高的关闭状态。但当正电压大于某个电压 (称为转折电压 )时，器件迅速转变到低 阻通导状态。加在可控硅阳极和阴极间的电压低于转折电压时，器件处于关闭状态。此时如果在控制极上加有适当 大小的正电压 (对阴极 )，则可控硅可迅速被激发而变为导通状态。可控硅一旦导通，控制极便失去其控制作用。就 是说，导通后撤去栅极电压可控硅仍导通，只有使器件中的电流减到低于某个数值或阴极与阳极之间电压减小到零 或负值时，器件才可恢复到关闭状态。 图 3-30 是可控硅的伏安特性曲线。 图中曲线 I 为正向阻断特