新型基于亚阈值区的高稳定性低功耗全MOS电压基准源.pdfVIP

新型基于亚阈值区的高稳定性低功耗全MOS 电压基准源 摘 要 电压基准源是模拟集成电路中的一个重要的单元，广泛应用于模数转换器、 数模转换器、动态存储器等集成电路中。传统的带隙基准电压源结构由于工作电 压高，静态功耗过大且引入了电阻造成了面积过大等问题；能源问题和芯片散热 对工作性能的影响驱使着芯片设计往低功耗方向进行；于是低功耗的趋势使得基 准源电路的设计转向研究 CMOS 电压基准源电路。但随着集成电路技术的不断 发展，CMOS 管的沟道长度越来越短，在集成电路制造过程中，难免会产生管子 各个参数的工艺偏差等非理想因素，以及在外界温度和噪声波动的干扰下，会使 得电路工作异常，对基准源电路的稳定性造成诸多影响；为此我们需要对电路地 稳定性加以提升。本论文从低功耗及高稳定性的角度入手，使用TSMC65nm 工 艺设计一个低功耗高性能的电压基准源，它基于MOS 管的亚阈值区工作，工作 电流极低，大概几个微安或者更低，确保其低功耗；此外还要保证它对工艺、温 度、电源电压不敏感，即在外界各项干扰因素下，它仍能输出稳定的基准电压供 给如数模转换器或放大器做偏压用，使得这些系统能正常运行。 本文首先介绍了电压基准源的种类和工作原理及其主要测量指标；之后研究 搭建基准源电路的两大核心模块：偏置电路和电流镜；在对比不同偏置电路以及 电流镜对基准源性能的影响后，提出新型的自偏置电流镜；随后提出本设计的初 始架构，采用Cadence Virtuoso 软件对设计电路进行仿真和验证并分析，发现抗 噪能力偏差，且未考虑到实际应用电路可能存在电路未启动或输出电压精准度不 够等问题，为此进行了如下优化： 1. 加入放大器，利用负反馈的特性增大了输出端口到电源电压之间的等效 阻抗，从而最大限度降低从电源传到输出端的噪声； 2. 加入启动电路，避免实际电路在上电时，电流产生电路出现零简并态而 导致整个电路不工作； 3. 加入校准电路，为避免实际芯片输出电压与设计值有较大偏差，为此加 入此模块做后处理校准。 最后，结果表明，本文所设计的CMOS 电压基准源，整体功耗为801nW， I 新型基于亚阈值区的高稳定性低功耗全MOS 电压基准源 且在-60 到 110℃的工作范围内，输出电压范围为：458.65-459.10mV; 当电压在 0.9 到2.4V 变化时，线性调整率为3.6mV/V ；在考虑工艺偏差的影响，由蒙特卡 洛仿真知，-60 到 110℃内，温度系数为 11.3ppm/℃；而输出电压范围为 454- 462mV ；，在低频直流频率段，电源抑制比为38dB，启动时间为23μs 。 关键词：电压基准源；低功耗；高稳定性；全MOS II A Novel High stability and Low Power All-MOS Voltage Reference Based on Sub-threshold Region Abstract The voltage reference is an important module in analog integrated circuits, and is widely applied in integrated circuits such as analog-to-digital converters, digital-to- analog converters, and dynamic memories. The traditional bandgap reference voltage structure has problems such as high operating voltage, excessive static power and large area due to resistance. Energy problems and the impa