半导体材料及其基本能能带结构.ppt

固体理论 第五章半导体电子论 Electron theory of semiconductor 微电子与固体电子学院 朱俊  51半导体及其基本能带结构 半导体材料 半导体的带隙 三带边有效质量  1.半导体的定义 半导体是电阻率p介于导体和绝缘体之间,并且具有 负的电阻温度系数(NTc)的材料。 阻率O(D-cm) 氫化鎳 砷化鲸(GaAs 焙凝 硫化鎘CdS) ,1 10-12101010810610410 售婷係數O(S/cm) 牛導體 體 半导体材料的电阻率对其杂质含量、环境温度、以及光照、 电场、磁场、压力等外界条件有非常髙的灵敏性———可控。 半导体的基本能带结构 半导体材料  2.半导体独特的物理性质 光电导 负的电阻温度光生伏特 整流效应 (NTC)效应 效应 霍尔效应 I电流 R 正向 0090oo9l 反向0 电压 T 半导体的基本能带结构 半导体材料  3.半导体的分类 (1).化学组分和结构的不同,可分为: 元素半导体:Ssi,Ge, Diamond, Carbon nanotube, Graphene 化合物半导体: IV族化合物(GaAs、GaN等) ILⅥ族化合物CdS、ZnO、ZnTe) I-IV族化合物SiC) 固溶体半导体(SiGe、 GaAlAs、 GaAsP等) 非晶半导体:(非晶硅、玻璃态氧化物半导体等) 有机半导体酞菁、酞菁铜、聚丙烯腈等) 半导体的基本能带结构 半导体材料  3.半导体的分类 (2).禁带宽度的不同,可分为: 窄带隙半导体(Eg2eV):Si,Ge,GaAs 宽带隙半导体Eg2eV):GaN,ZnO,SiC,AIN 零带隙半导体(Eg~0ev):a-Sn, Graphene(石墨烯) (3).使用功能的不同,可分为: 电子材料、光电材料、传感材料、热电致冷材料等 半导体的基本能带结构 半导体材料  4.半导体材料的发展趋势 材料殊度的发展 由三维体材料向薄膜、两维超晶格量子阱、一维量 子线和零维量子点材料方向发展。 ■三维体材料:电子在其中可以自由运动而不受限制的材料。 维超晶格、量子阱材料、二维原子晶体:电子在X、Y平面 里可以自由运动,在Z方向电子运动受到了跟制。 維量子线:电子只能在长度的方向上可以自由的运动,在 另两个方向X和Y都不能自由运动。它的能量在X和Y两个方向 上都是量子化的。 零维量子点:材料三个维度上的尺寸都比电子的平均自由程 相比或更小,这时电子像被困在一个笼子中,它的运动在三 个方向都被受限。 半导体的基本能带结构 半导体材料  4.半导体材料的发展趋势 材料维度的发展 3D 2D 1D OD 。 E E 半导体的基本能带结构 半导体材料  5.半导体材料的应用 信息处理与存储 信息感测 通信、雷达 显示 半导体照明 太阳能电池、热电转 半导体的基本能带结构 半导体材料