半导体制的造工艺简介.ppt

集成电路版图设计与验证 第三章半导体制造工艺简介  学习目的 令(1)了解晶体管工作原理,特别是MOS管 的工作原理 (2)了解集成电路制造工艺 令(3)了解COMS工艺流程  主要内容 ÷3.1半导体基础知识 ÷32工艺流程 ÷3.3工艺集成  3.1半导体基础知识 半导体硅原子结 构:4个共价键, 比较稳定,没有 明显的自由电子  3.1半导体基础知识 1、半导体能带 禁带带隙介于导体和绝缘体之间 2、半导体载流子 空穴和电子  3.1半导体基础知识 ÷3、半导体分类 N型半导体和P型半导体 掺杂半导体的特点 (1)导电性受掺杂浓度影响。被替代的硅原子 数越多,材料的电阻率越低,越容易导电。 (2)多子的浓度取决于杂质浓度,少子的浓度 取决于温度。  3.1半导体基础知识 关于扩散电阻 集成电路中经常见到的扩散电阻其实就是利 用掺杂的方法改变材料的电阻率得到的。但 是当掺杂的杂质浓度增高时,电阻率会随着 浓度增高快速降低吗? 冷(与温度有关:杂质需要完全电离;掺杂半 导体中载流子的迁移率会随杂质浓度增加而 显著下降)  3.1半导体基础知识 4、PN结 单向导电性:整流、开关、稳压二极管。 、5MOS场效应管 (1)MOS管结构 NMOS、PMOS和CMOS MOS管是左右对称的,漏和源可以互换,只 是外加电压不同。  3.1半导体基础知识 漏区和源区称为有源区,是由掺杂形成的。 ☆栅:铝栅和硅栅(性能更好) MOS晶体管尺寸定义:宽和长 (2)MOS管工作原理 反型层、沟道、饱和 令饱和之后,沟道形成楔型,电流不再增加。 (漏端电压增加,但沟道的电阻率也在增加)  3.1半导体基础知识 冷(3)MOS管应用 栅压越大,电子沟道越厚,沟道电阻率越低, 电流越大。因此MOS晶体管是电压控制电流 的器件 数字电路:开关作用,栅压为VDD或GND 令模拟电路:栅压介于VDD和GND之间,调整 电流大小,进行信号放大作用。