半导体料导论.描述.ppt

半导体材料 第二章:基本原理 材料学院 徐桂英  第二章:基本原理 ■在第一章中介绍的半导体材料的特征,只是根据它的主要性质来论述的,实际上 这种论述并不是十分严格的。 ■例如当一些半导体材料的掺杂浓度很高时,其电导率也可以高出某些金属材料。 ■但作为第一步,使大家对半导体材料有一个初步的概念,这种介绍是必要的 ■只有认识了半导体的微观结构以及这种微观结构与物性的关系,才能从根本上了 解半导体的性质与性能及其与金属、绝缘体的区别,也才能理解半导体材料应用的 根据。 ■为此要阐述半导体的能带结构、化学键、晶体结构等。这要求具备固体物理、圊 体化学、量子力学等近代科学理论,这就远远地超出了本课程的范围。 ■本课程试图深入浅岀地对一些原理进行介绍,以便获得必要的概念。有了这些知 识与概念才能对本课程以下各章节的内容有较深入的理解,并能了解它们之间的联  2.1.1存在两种载流子的证明 H p- 负电荷 o正电荷 (a)负电荷载流子 (b)正电荷载流子 图2.1霍尔效应原理 早在1879年霍尔(EH.Hal)就发现:将一块矩形样品在一个方向通过电流 在与电流的垂直方向加上磁场(H),那么在样品的第三个方向就可以出现电 动势,称霍尔电动势,此效应称霍尔效应。  22能带结构 我们首先看看单个原子的情况。 ■大家都知道原子是由原子核及其周围的电子构成的,外围的电子数等于 原子核内的质子数 ■这些电子都有自己的能量,根据现代量子力学的理论,这些能量是量子 化的,即有一定的数值,而且是不连续的,这些彼此不连续而有一定数 值的能量称为能级 ■一个电子的能量只能从一个能级跳到另一个能级,不可能连续地变化, 伴随这种跳跃会吸收或放出一定的能量 ■根据鲍林(L. Pauling)的不相容理论,不可能有两个电子的量子数完全 相同。这样,在原子的一个能级上,只能有两个电子,它们的量子数区 别在于其自旋(spin)的正与反  许多原子形成晶体的情况: 当许多原子彼此靠近而形成晶体时,各 原子的电子间发生相互作用,各原子间原 4p来在分散状态的能级扩展成为能带, ■这能带是由彼此能量相差比较小的能级 所组成的准连续组。因为只有这样才能保 持电子能量的量子化并符合鲍林的不相容 原理。 ■图2.2示出了元素铜的能带形成过程 当原子相靠近时能级扩展为能带的情形以 及在形成晶体时,在晶体内的原子间距 (即晶格常数)上,能带发生的搭接的现 原子间距离 象 图22元素铜的能带形成 (其中a。为晶格常数)  ■图23示出了碳原子形成金刚石晶体时 能带的形成,以及能带间禁带的形成 ■按照能带搭接或分立的情况,我们可 以把金属、半导体、绝缘体的能带结构 的区别用图24加以简单表示 原子间距离 图23碳原子彼此接近形成金刚石的能带示意图 1一价带:2一禁带;3一导带 金属 绝缘体 a。一金刚石晶格常数 图24金属、半导体和绝缘体 一能带搭接时的原子距离 的能带结构示意 (△E称为禁带宽度或带隙)