半导体硅锗晶体结构精选.ppt

第一章半导体中的电子状态电子 第一章半导体中 本章主要讨论: 定性介绍能带理论,利用 Schrodinger方程 和 Kroning-Penney模型近似推导关于半导体 中电子的状态和能带特点 阐述本征半导体的导电机构,引入了空穴的概念 最后简单介绍几种半导体材料的能带结构。 重点和难点: 半导体硅、锗的晶体结构(金刚石结构)及其特点 半导体的闪锌矿结构及其特点 本征半导体及其导电结构、空穴 Valadon onry. ch Asposeslides for NET 4o dient P Evaluation only. Created with Aspose Slides for NET 4.0 dient Profilo 71 Copyright 2004-2017Aspose Pty L  第一章半导体中的 电子状态 Valadon onry. ch Asposeslides for NET 4o dient P Evaluation only. Created with Aspose Slides for NET 4.0 dient Profilo 71 Copyright 2004-2017Aspose Pty L  第一章半导体中的 电子状态 §1.1半导体的晶格结构和结合性质 晶体结构化学键 Si,Ge金刚石型共价键 GaAs闪锌矿型混合键(共价键+ 离子键) 能带结构决定材料的性质 Valadon onry. ch Asposeslides for NET 4o dient P Evaluation only. Created with Aspose Slides for NET 4.0 dient Profilo 71 Copyright 2004-2017Aspose Pty L  第一章半导体中的 电子状态 1.1.1金刚石型结构和共价键 现代电子学中,重要的半导体材料:硅和锗, 它们的最外层电子(价电子)都是四个,它们组 合成晶体靠共价键结合 Valadon onry. ch Asposeslides for NET 4o dient P Evaluation only. Created with Aspose Slides for NET 4.0 dient Profilo 71 Copyright 2004-2017Aspose Pty L  第一章半导体中的 硅和锗的共价键结构 电子状态 ○④ 共价键共 用电子对 4表示除 去价电子 后的原子 形成共价键后,每个原子的最外层电子是八个, 构成稳定结构。 Valadon onry. ch Asposeslides for NET 4o dient P Evaluation only. Created with Aspose Slides for NET 4.0 dient Profilo 71 Copyright 2004-2017Aspose Pty L  第一章半导体中的 电子状态 ○G④ YVy 共价键有很强的结合力,使原子规 则排列,形成晶体。 ×-, 共价键中的两个电子被紧紧東缚在共价键中,称为 束缚电子,常温下束缚电子很难脱离共价键成为自 由电子,因此本征半导体中的自由电子很少,所以 本征半导体的导电能力很弱。 Valadon onry. ch Asposeslides for NET 4o dient P Evaluation only. Created with Aspose Slides for NET 4.0 dient Profilo 71 Copyright 2004-2017Aspose Pty L  第一章半导体中的 电子状态 在硅和锗晶体中,原子按四角形系统组成晶体 点阵,每个原子都处在正四面体的中心,而四个 其它原子位于四面体的顶点,每个原子与其相临 的原子之间形成共价键,共用一对价电子。 硅和锗的晶体结构 Valadon onry. ch Asposeslides for NET 4o dient P Evaluation only. Created with Aspose Slides for NET 4.0 dient Profilo 71 Copyright 2004-2017Aspose Pty L  第一章半导体中的 电子状态 将许多正四面体累积起来就得到金刚石结构 金刚石型结构的晶胞 可看成是两个面心立方晶胞沿立方体的空间对角线 互相位移了1/4的空间对角线长度套构而成的 Valadon onry