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功率 MOSFET 教程（第一部分） 作者：Jonathan Dodge, P.E., Microsemi Corporation 众所周知，由于采用了绝缘栅，功率MOSFET器件只需很小的驱动功率，且开关速 度优异。可以说具有“理想开关”的特性。其主要缺点是开态电阻（RDS(on) ）和正 温度系数较高。本教程阐述了高压N型沟道功率MOSFET的特性，并为器件选择提 供指导。最后，解释了Microsemi公司Advanced Power Technology（ATP）MOSFET 的数据表。 功率 MOSFET 结构 图1为APT N型沟道功率MOSFET剖面图（本文只讨论N型沟道MOSFET）。在栅 极和源极间加正压，将从衬底抽取电子到栅极。如果栅源电压等于或者高于阈值 电压，栅极下沟道区域将积累足够多的电子从而产生N型反型层；在衬底形成导 电沟道（MOSFET被增强）。电子在沟道内沿任意方向流动。电子从源极流向漏 极时，产生正向漏极电流。沟道关断时，正向漏极电流被阻