半导体探测器概述.pptVIP

第十章半导体探测器 1.基本原理 2.PN结性质 3.金硅面垒半导体探测器  §1.基本原理一概述 半导体探测器的优点: 1.半导体探测器的能量分辨率高。 2.当测高能电子或@射线时,半导体探测器的尺寸要比气体探测器小的 多,因而可以制成高空间分辨和快时间响应的探测器 3.测量电离辐射的能量时,线性范围宽 半导体探测器的缺点: 1.对辐射损伤较灵敏,受强辐照后性能变差 2.常用的锗探测器,需要在低温(液氮)条件下工作,甚至要求在低温 下保存,使用不便。  §1.基本原理一概述 我们把气体探测器中的电子一离子对、闪烁探测器中被PMT第 打拿极收集的电子及半导体探测器中的电子一空穴对统称为探 测器的信息载流子 产生每个信息载流子的平均能量分别为 气体探测器: 子离子对,w~30eV; 闪烁探测器:D收集的电子,W~300eV 半导体探测器:电子空穴对,w~3eV。 电离辐射在半导体介质中产生一对电子、空穴对平均所需能量大约为在 气体中产生一对离子对所需能量的十分之一,即同样能量的带电粒子在半 导体中产生的离子对数要比在气体中产生的约多一个量级,因而电荷数的 相对统计涨落也就小得多,所以半导体探测器的能量分辨率很高  §1.基本原理一概述 半导体探测器的基本原理是带电粒子在半导体探测器的灵敏体 积内产生电子一空穴对,电子一空穴对在外电场的作用下漂移 而输出信号 半导体探测器的探测原理与电离室类似,只是探测介质是半导体 电离室能够成为一个探测器应满足三个条件 没有射线穿过灵敏体积时,不产生信号或信号可忽略 2.带电粒子穿过灵敏体积时,在其中产生离子对 在电场作用下,离子在飘向两极的过程中没有明显的损失,在输出 回路中形成的信号能代表原初产生的离子对数 是否只要用一块半导体材料代替气体就行了呢?  §1.基本原理一概述 用一块半导体材料直接代替气体作为探测器是无法工作的! 原因是不满足上面提到的要求。 常用半导体材料:S 目前纯度最高的硅的电阻率大约为105cm,如果将厚度为1mm 的这种硅片切成面积为1cm2,当加上100V的电压时,则有 0.01A的电流流过,显然,这么大的漏电流将会把待测信号全 部湮没。一个好的探测器的漏电流应该在-10-9A  §1.基本原理一概述 个半导体的PN结能满足前面提到的三个条件,因而可以构 成核辐射探测器。 半导体的PN结内电阻很高,加上反向电压后,电压几乎完全 降落在结区,在结区形成一个足够强的电场,而几乎没有漏 电流流过 当带电离子射入结区后,通过与半导体材料相互作用,很快 地损失掉能量,带电离子所损失的能量在结区中形成了可以 导电的电子一空穴对 在电场的作用下,电子和空穴分别向两极漂移,于是在输出 回路中形成信号。  §1.基本原理一概述 常用半导体材料为硅(Si)和锗(Ge),均为IV族元素. 、本征半导体和杂质半导体 1)本征半导体:理想、无杂质的半导体 由于热运动而产生的载流子浓度称为本征载流子浓度 且导带中的电子数和价带中的空穴数严格相等。 2)杂质半导体 (1)替位型:I族元素,如B,A1,Ga等 族元素,如P,As,Sb等 (2)间隙型:Li,可在晶格间运动  §1.基本原理一概述 3)施主杂质 施主杂质为Ⅴ族元素,其电离电位E很低,施主杂质的能级一定接近禁带 顶部(即导带底部)。在室温下,这些杂质原子几乎全部电离。由于杂质 浓度远大于本征半导体导带中的电子浓度,多数载流子为电子,杂质原 子成为正电中心。掺有施主杂质的半导体称为N型半导体 电子浓度:nEND施主杂质浓度 4)受主杂质 受主杂质为II族元素,其电离电位E很低,受主杂质的能级一定很接近 禁带底部(即价带顶部),室温下价带中电子容易跃迁这些能级上;在价 带中出现空穴。所以,此时多数载流子为空穴,杂质原子成为负电中心。 掺有受主杂质的半导体称为P型半导体。 空穴浓度:pEN4受主杂质浓度  §1.基本原理一概述 加入施主杂质 加入受主杂质 Excess electron Excess Donor Acceptor ity impurity P, As B, Al, Ga, In Acceptor level N型半导体 P型半导体  §1.基本原理一概述 2、半导体作为探测介质的物理性能 1)平均电离能(w) 入射粒子在半导体介质中平均产生一对电子空穴需要的能量。 G 300K 362eV 77K 3.76eV 296eV 半导体中的平均电离能与入射粒子能量无关。在半导体中消耗能 量为E时,产生的载流子数目N为:N