半导体物理基础霍尔效应.pptVIP

1、霍尔效应及应用 1)什么是霍尔效应? 当电流垂直于外磁场方向通过导电体时,垂直于电 流和磁场的方向上,导体两侧会产生电势差,此现象在 1879年为美国科学家霍尔发现,称为霍尔效应。如下 B@空穴 电子 +q×B q×B 63 ②罗 尔效应 a冫开半早估:()n型半星伭  ⊕空穴 e电子 XB OC ++H E 图1霍尔效应 洛伦兹力 qEv-qVB=0  般说来,金属和电解质的霍尔效应都很小,但半 导体则显著得多。n型锗,Ⅲ-V族半导体(如InSb、 InAs、GaAs等),由于载流子迁移率很高,常被制成霍 尔敏感元件探头。在磁场测量及位置、位移、角度、转 速等物理量的测量和自动控制中广泛应用。 ac  2、冷热探针法测半导体单晶导电型号 其原理是冷热探针引起半导体中的温差电动势. 对p型样品,热端空穴向冷端扩散,破坏了电离受主(带负电)与 空穴之间原有的电中性,结果冷端因富余空穴而带正电,热端富余电 离受主带负电,外电路将有电流从冷针流向热针 对n型样品,热端电子向冷端扩散,破坏了电离施主(带正电)与 电子之间原有的电中性,结果冷端因富余电子而带负电,热端富余电 离施主带正电,外电路将有电流从热针流向冷针 热 针 针 电子扩散流 空穴扩散流 n型材料 p型材料 型半导 冷会漏  烙铁