半导体制造工艺简介..pptVIP

集成电路版图设计与验证 第三章半导体制造工艺简介  学习目的 (1)了解晶体管工作原理,特别是MOS管 的工作原理 (2)了解集成电路制造工艺 (3)了解COMS工艺流程  主要内容 3.1半导体基础知识 ÷3.2工艺流程 3.3工艺集成  3.1半导体基础知议 半导体硅原子结 构:4个共价键, 比较稳定,没有 明显的自由电子。  3.1半导体基础知议 1、半导体能带 禁带带隙介于导体和绝缘体之间 2、半导体载流子 空穴和电子  3.1半导体基础知议 3、半导体分类 N型半导体和P型半导体 掺杂半导体的特点 (1)导电性受掺杂浓度影响。被替代的硅原子 数越多,材料的电阻率越低,越容易导电。 (2)多子的浓度取决于杂质浓度,少子的浓度 取决于温度。  3.1半导体基础知议 关于扩散电阻: 集成电路中经常见到的扩散电阻其实就是利 用掺杂的方法改变材料的电阻率得到的。但 是当掺杂的杂质浓度增高时,电阻率会随着 浓度增高快速降低吗? 令(与温度有关:杂质需要完全电离;掺杂半 导体中载流子的迁移率会随杂质浓度增加而 显著下降)  3.1半导体基础知议 4、PN结 单向导电性:整流、开关、稳压二极管。 5MOS场效应管 (1)MOS管结构 NMOS、PMOS和CMOS MOS管是左右对称的,漏和源可以互换