IC工艺技术5离子注入 .pptxVIP

集成电路工艺技术讲座第五讲;引言;离子注入的优点;目录;射程;LSS理论;LSS理论－核阻止本领和弹性碰撞;核阻止本领;LSS理论－电子阻止本领;两种能量损失示意图;常见硅中杂质的能量损失;磷砷锑投影射程;硼投影射程;SiO2中投影射程;光刻胶中投影射程;入射粒子在非晶靶中浓度分布;高斯分布;高斯分布特点和应用;高斯分布特点和应用;双高斯分布;Pearson- IV分布;硼离子注入分布;横向分布;横向分布;目录;沟道效应－ 单晶靶中的射程分布;沟道效应－ 单晶靶中的射程分布;能量对沟道效应影响;剂量对沟道效应影响;取向对沟道效应影响;温度对沟道效应影响;目录;离子注入损伤－过程;离子注入损伤;离子注入损伤－临界剂量;离子注入损伤－临界剂量;损伤的去除－退火;退火效应－硼;退火效应－硼，磷，砷比较;退火温度－和剂量的关系;快速热退火(RTA);退火技术比较;目录;离子注入机;离子注入机结构;离子注入机结构;离子源;离子源;离子源;离子源;注入材料形态选择;质量分析系统;质量分析系统;加速聚焦系统;扫描系统;扫描系统;电扫描偏转;电扫描;目录;离子注入的应用;离子注入的应用(SOI);SOI MOSFET;目录;离子注入工艺模拟(SUPREM);离子注入工艺模拟(SUPREM);离子注入二维工艺模拟(ATHENA);离子注入二维工艺模拟(ATHENA);9、青少年是一个美好而