模拟电路 第五章 场效应管.pptVIP

3）输出特性曲线判断类型： a. vDS为正：N沟道 vDS为正：P沟道 习题：P233 5.3.4 b. vGS可正可负可零：MOSDFET vDS与vGS 极性相同：MOSEFET vDS与vGS极性相反：JFET 工作在饱和区时G-S、D-S间的电压极性 结论： 1）vDS的极性 N沟道FET：vDS0；P沟道FET：vDS0 2）vGS极性 JFET：vGS与vDS极性相同 MOSFET：增强型vGS与vDS极性相同；耗尽型vGS可正可负可为零 组态对应关系： CE BJT FET CS CC CD CB CG BJT FET 电压增益： CE： CC： CB： CS： CD： CG： 5.5.2 各种放大器件电路性能比较 输出电阻： BJT FET 输入电阻： CE： CC： CB： CS： CD： CG： CE： CC： CB： CS： CD： CG： 解： P239例5.5.1 放大电路如图所示。已知 试求电路的中频增益、输入电阻和输出电阻。 由于 则 习题：P253 5.5.1 5.5.4 * 备注 * 与晶体管类比，自学场效应管的主要参数。 P214 例5.2.3 习题：P250 5.2.4 VDD + vO ? + ? Rg1 Rd Rg2 vi Cb1 Cb2 VDD Rd Rg vi Cs －VSS v0 I VDD + vO ? + ? Rg1 Rd Rg2 vi Cb1 Cb2 VDD Rd －VSS I VDD + vO ? + ? Rg1 Rd Rg2 vi Cb1 Cb2 VDD Rd －VSS I ID VDS + - + - VGS VS 2 图解分析 3 小信号模型分析 MOS管的小信号模型 _ + _ + vgs vds id _ + _ + vgs vds id gmvgs rds 由于没有栅极电流，所以栅源是悬空的。 iD 的全微分为 上式中定义： — 场效应管的跨导 — 场效应管漏源之 间等效电阻 求微变参数 gm 和 rdS 根据定义通过在特性曲线上作图方法中求得。 (2) 用求导的方法计算 gm 在 Q 点附近，可用 IDQ 表示上式中 iD，则 (3) 用求导的方法计算 rds 一般 gm 约为 0.1 至 20 mS rdS 为几百千欧的数量级 _ + _ + vgs vds id gmvgs rds P217页例5.2.4 VDD vO Rd vi + ? + ? VGG 解： 1）求Q VDD Rd VGG VDD Rd VGG ID VDS + - + - VGS VDD vO Rd vi + ? + ? VGG 2）求AV Rd _ + _ + vi=vgs v0 id gmvgs rds 其中： P218页例5.2.5 VDD + vO ? + ? Rg1 Rd Rg2 vi Cb1 Cb2 -VSS vS + ? Rs R 习题：P250 5.2.3（与该例题求法一样） P219页例5.2.6 解： VDD vO + ? Rg1 Rg2 vi Cb vS + ? Rs R + ? VDD vO + ? Rg1 Rg2 vi Cb vS + ? Rs R + ? vO + ? Rg1 Rg2 vi vS + ? Rs R + ? vO + ? Rg1 Rg2 vi vS + ? Rs R + ? vO + ? Rg2 vi vS + ? Rs R + ? Rg1 + ? Rg2 vi vS + ? Rs Rg1 vO R + ? vO + ? Rg vi vS + ? Rs R + ? _ + vgs gmvgs rds Rg Rs R + ? _ + vgs gmvgs rds vt it 画小信号模型等效电路 习题：P250 5.2.5（与该例题求法一样） + VT + S D G R2 VDD + RL RS R1 C1 C2 + + ? RG 练习：求放大倍数、输入电阻、输出电阻。 习题：P251 5.2.9 D S G N 符号 一、结构 N型沟道 N型硅棒 栅极 源极 漏极 P+ P+ P 型区 耗尽层(PN 结) 　　在漏极和源极之间加上一个正向电压，N 型半导体中多数载流子电子可以导电。 　　导电沟道是 N 型的，称 N 沟道结型场效应管。 5.3 结型场效应管（JFET) G D S 1.N沟道FET 5.3.1 JFET的结构和工作原理 P 沟道场效应管 N+ N+ P型沟道 G S D P 沟道场效应管是在 P 型硅棒的两侧做成高掺杂的 N 型区(N+)，导电沟道为 P 型，多数载流子为空穴。 符号 G