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《光电了技术实验》 实验讲义 光信息教研室 2012年9月 目录 TOC \o 1-5 \h \z \o Current Document 实验一 LD/LED 的 P-I-V 特性曲线测试 - 2 - \o Current Document 实验二 光纤数值孔径测量实验 - 8 - \o Current Document 实验三 光源调制与解调实验 10 \o Current Document 实验四 电光调制实验 15 \o Current Document 实验五 声光调制实验 19 \o Current Document 实验六、APD特性参数的测量 25 实验一 LD/LED的P-I-V特性曲线测试 、实验目的 1、通过测试LD/LED的功率一电流（P-I ）特性曲线和电压一电流（V-I ）特性曲线，计算阈 值电流（Ith），掌握LED发光二极管和LD半导体激光器的工作特性。 、实验内容 1、测试LD/LED的功率一电流（P-I ）特性曲线和电压一电流（V-I ）特性曲线。 三、 实验仪器 TOC \o 1-5 \h \z 1、 LD激光二极管（带尾纤输出， FC型接口） 1 只 2、 LED发光二极管 1 只 3、 LD/ LED电流源 1 台 4、 光功率计 1 台 5、 万用表 1 台 四、 实验原理 激光器是使工作物质实现粒子数反转分布产生受激辐射，再利用谐振腔的正反馈，实现光放 大而产生激光振荡的。激光，其英文 LASER就是 Light Amplification by Stimulated Emission of Radiatio n （受激辐射的光放大）的缩写。 1、半导体激光器的结构 半导体是由大量原子周期性有序排列构成的共价晶体，由于邻近原子的作用，电子所处的能 态扩展成能级连续分布的能带，如下图（ a）所示，能量低的能带称为价带，能量高的能带称为 导带，导带底的能量 Eu和价带顶的能量E之间的能量差Eu El Eg称为禁带宽度或带隙， 不同的半导体材料有不同的带隙。本征半导体中导带和价带被电子和空穴占据的几率是相同的， N型半导体导带被电子占据的几率大， P型半导体价带被空穴占据的几率大。如下图（ b）、（c） 所示。 导带4 * 4 导带 4 * 4 ? ? ? ? ? ?* 带常 Eg 1 El Q Q O 匚|_ O Q O O o O 卒征半导体 N型半导体 a b P型半导体 图1半导体激光器的电子和空穴分布 半导体激光器的结构多种多样，基本结构是下图所示的双异质结平面条形结构。这种结构由 三层不同类型半导体材料构成，中间层通常为厚度为 0.1?0.3卩m的窄带隙P型半导体，称为有 N层之间形成的是 P--N异质源层，作为工作介质，两侧分别为具有较宽带隙的 N N层之间形成的是 P--N异质 隙宽度的两种半导体单晶之间的结构称为异质结。有源层与右侧的 结，而与左侧的P层之间形成的是 P--P异质结，故这种结构又称 N-P-P双异质结构，简称 DH结 构。 图2半导体激光器的基本结构 施加正向偏压后，就能使右侧的 N层向有源层注入电子，左侧的 P层向有源层注入空穴，但 由于左侧的P层带隙宽，导带的能态比有源层高，对注入电子形成了势垒，注入到有源层的电子 不可能扩散到P层，同理，注入到有源层的空穴也不可能扩散到 N层。这样，注入到有源层的电 子和空穴被限制在 0.1?0.3卩m的有源层内，形成了粒子数的反转分布。 前后两个晶体解理面作为反射镜构成谐振腔。 给半导体激光器施加正向偏压，即注入电流是维持有源层介质的原子永远保持粒子数的反转 分布，自发辐射产生的光子作为激发光子诱发受激辐射，受激辐射产生的更多新光子作为新的激 发光子诱发更强的受激辐射。 2、半导体激光器的主要特性 输出电压特性 LD和LED都是半导体光电子器件，其核心部分都是P-N结。因此其具有与普通二极管相类似 的V-I特性曲线，如下图所示： V Vt 图3激光器输出V-I特性曲线 由V-I曲线我们可以计算出 LD/LED总的串联电阻 R和开门电压 Vro 输出光功率特性 激光器光功率特性通常用输出光功率与激励电流 I的关系曲线，既P— I曲线表示。 图4 LD/LED的P-I特性曲线 在结构上，由于LED与LD相比没有光学谐振腔。因此， LD和LED的功率—电流的P-I关系 特性曲线则有很大的差别。 LED的P-I曲线基本上是一条近似的直线。从图 5中可以看出LD的 P-I曲线有一阈值电流 Ith，只有在工作电流lflth部分，P-I曲线才近似一根直线。而在 lflth 部分，LD输出的光功率几乎为零。 给半导体激光器注入电流，就是给激光器有源层半导体工作介质注入能量，对