镧基氧化物纳米线阵列的制备及性能研究.pdfVIP

摘要 摘要 利用化学共沉积反应，辅之负压抽滤方法，在多孔氧化铝模板(AAO)纳米阵 列孔道内制备多元稀土氧化物纳米线阵列。用SEM、TEM、XRD、EDS、荧光 分光光度计(PerkinElmer LS一55)等，表征上述纳米线阵列的形貌、结构、化学组 成和荧光性能。研究了上述纳米线阵列的生长机理并得到最佳制备工艺条件，讨 论了掺杂不同的元素及Eu3+掺杂量对其荧光强度影响。 主要研究结果如下： LaNixOv：Eu3+纳米线阵列，上述纳米线阵列材料均为非晶态结构，形貌均一、大 面积高度有序。研究了反应物浓度、反应时间、抽滤压力、热处理温度等，对可 控制备纳米线阵列的影响。 2．研究了镧基稀土氧化物LaTb。O。：Eu3+纳米线阵列荧光性能，在394nm波 其对应于Eu3+的5Do．2F2和5Do．7F4能级跃迁，且荧光发射峰发生红移。荧光检测 544nm荧光发射峰，其归因于受基质AAO影响而消失。 3．在394nm光波长激发下，LaTb。Ov和LaNixO。纳米线阵列没有荧光发射峰， 实验结果表明：Tb3+具有荧光增强效应，Ni2+离子使LaNixO、，：Eu3