薄膜淀积工艺(下)word版本.pptVIP

薄膜淀积工艺(下);四、物理气相淀积工艺■ ?? ;（一）引言1、物理气相淀积（P;蒸发的速率取决于：(1) 离开;2、蒸发工艺的淀积速率单位时间;图12.2 常用材料的蒸气;a. 离开蒸气源的气体分子流 ;图12.3 圆片淀积位置b;3) 淀积速率的公式：其中，ρ;3、 常用蒸发系统（加热器）电;1) 薄膜的淀积速率：4、蒸发;解决：加热硅片并进行旋转。当表;图12.10 蒸发多成分薄;（三）溅射工艺介绍1、 溅射概;2、溅射原理简单的直流溅射系统;图12.12 离子入射到靶;(2) 淀积速率与溅射产额a;当能量较低时，溅射 产额随;图12.14 4-15ke;(3) 高密度磁控溅射通过增;3、溅射薄膜形貌与台阶覆盖靶原;(2) 溅射薄膜的台阶覆盖性;b. 溅射法形成的台阶形貌虽优;强迫填充法示意图;图12.23 准直溅射法;4、常用溅射工艺(1) 金属薄;本章小结：■ 薄膜淀积工艺;1、对于蒸发工艺，选择高的淀积;此课件下载可自行编辑修改，仅供