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. 一．晶体管的主要参数 交流参数是描述晶体管对于动态信号的性能指标。 1. 共发射极交流电流放大系数β，为集电极电流变化量与基极电流变化量之比。 2. 共基极交流电流放大信号α为发射极电流变化量与基极电流变化量之比。 3. 特征频率 fT 。 由于晶体管中 PN 结结电容的存在，晶体管的交流放大倍数是所加信号频率的数倍， 当信号频率高到一定程度，集电极与基极电流之比不变。但数值下降且产生相移，使 β的数值降到 1 时所得的信号频率称为特征频率 f T 。 β1 时晶体管有电流放大系数 β1 时晶体管没有放大系数 二．极限频率 1.最大集电极耗散功率 P 。 CM P 表示集电结上允许损耗功率的最大值， 超过此值就会使晶体管性能变坏或烧毁。 换句 CM 话说就是 P 决定于晶体管的温度，当硅管的结温度大于 150℃时，锗管的集电结温度大 CM 于 70℃时，管子的特性明显变坏甚至烧毁。对于确定型号的晶体管， P 是一个确定值。 CM 即 P i v· =常数。例如 9018 管 P 为 0.4W ，属于小功率管。 P I V 在输出特 CM c CE CM CM C CE 性上，可以画出管子的允许功率损耗线。 2.集电极最大允许电流 I CM ICM 指三极管的集电极电流不超过允许集电极允许的最大电流。当集电极电流超过 I CM 时，晶体管性能明显变坏甚至烧毁三极管。例如 9018 管的 I CM =0.05A 。 3.极间反向击穿电压 晶体管的某一电极开路时， 另外两个电极所允许的最高反向电压， 即为极间反向击穿电压， 超过此值时管子发生击穿现象。 1） V(BR ) CBO ：为发射极开路时， 集电极与基极间反向击穿电压。 这是集电结所允许加的最高 反向电压，反向击穿电压 V 决定于集电结反向击穿电压。 ( BR)CBO 2 ） V(BR ) EBO ：是指集电极开路时， 发射极与基极间的反向击穿电压。 在放大状态时， 发射结 是正偏的，而在某些场合，例如工作在大信号开关状态时，发射结有可能受到较大的反 向电压， 所以要考虑发射结击穿电压的大小。 V( BR) EBO 电压就是发射结本身的击穿电压。 3） V(BR ) CEO ：是指基极开路， 集电极与发射极之间的反向击穿电压。 当集电极与发射极之间 加上 VCE 后，这个电压使集电结处于反向偏置，而使发射结处于正向偏置。当基极开路 .. . 时，发射结正向电压的大小决定于流过它的电流大小。当所加 VCE 较低时，流过管子的 电流就是 I CEO = （1+ β） ICBO 。当电压升高使集电结开始出现雪崩击穿时，集电极电流 增大，这样促使发射结分到的正向电压增加，从而使发射区注入基区的电子增多，又使 I E 增大， I E