薄膜材料4doc资料.pptVIP

薄膜材料4;热生长制备薄膜不是一种常用技术，但热生长金属和半导体氧化物的研究较为广泛。由于氧化物可以钝化表面，而氧化物的绝缘性质在电子器件制备中非常有用。 所有金属除了Au以外都与氧反应形成氧化层。 金属的热氧化模型：假设金属阳离子或阴离子通过氧化物点阵扩散而不是沿着晶界或孔洞扩散形成氧化膜。 热氧化过程通常是在传统的氧化炉中进行。有大量文献报道Si的氧化，即SiO2薄膜的形成。;Ponpon等人在干燥的氧气气氛下，在硅上进行快速热氧化生长，制备了很薄的氧化硅膜。生??速率较传统的氧化炉高，且与时间的平方根成正比。 在进行高温循环的快速热循环系统中，可以在小于1min的时间里制备厚度达30nm的氧化层。生长系统在1~64s时间内温度范围可在1000~1200℃变化。 高温、快速方法的两个优点：①可精确控制氧化硅（?30nm）的生长；②可获得低电荷、低界面态密度氧化硅膜。;在空气和超热水蒸气下，通过对薄Bi膜的氧化，制备Bi2O3膜。 即使在最高温度367℃时水蒸气分子也不会分解成氧和氢，高温水蒸气对反应不起作用，只是取代了反应室中存在的空气，改变反应室中有效氧气含量。;化学气相沉积：Chemical vapor deposition，CVD。利用气态的先驱反应物，通过原子、分子间化学反应的途径生成固态薄膜的技术。 是制备各种薄膜材料的一种重要和普遍使用的技术，可以在各种基片上制备元