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- 2020-11-23 发布于浙江
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薄膜的图形化技术;有时,并不满足于使用简单形态的薄膜,而需要对薄膜进行有目的的加工,形成特定的图形
对材料的表层(薄膜)进行显微加工,即它的图形化,需要使用表面刻蚀技术
对应于制备薄膜材料的CVD、 PVD技术,则有化学的、物理的表面刻蚀方法;在某种意义上,刻蚀过程是薄膜沉积过程的逆过程
半导体工业的高速发展是表面刻蚀技术的主要推动力,它应用的是光刻的方法;八层布线的集成电路的断面形貌;以光刻技术在薄膜表面获得图形;光刻所用的掩膜;半导体技术中所采用的光刻技术;Automatic coat and develop track;光刻过程中的暴光方法;光刻过程中的暴光 ——GCA 6700 STEPPER; 光刻技术制备的显微防伪标记;光刻流程中的刻蚀;正负性的光刻胶技术;以化学溶剂法实现光刻图形时的情况;等离子体刻蚀;等离子体刻蚀;等离子体刻蚀的监测;对等离子体刻蚀技术的要求;等离子体刻蚀的微观过程;比较一下:PECVD时的微观过程;等离子体刻蚀过程的速率;等离子体刻蚀过程的选择性;等离子体刻蚀过程的选择性;常用电子材料的等离子体刻蚀方法;等离子体刻蚀过程的各向异性;等离子体刻蚀过程的选择性;早期使用的等离子体刻蚀系统;等离子体刻蚀系统的发展;Plasma etching —— 电容耦合式的等离子体刻蚀系统;在气压较高时,样品放在阳极上;
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