半导体物理课件 第三章 半导体中载流子的统计分布.pptVIP

当ND》ni 当ND《ni Si中掺杂1016cm-3,电子浓度104cm-3,空穴浓度1016cm-3 5、高温本征激发区 n0》ND，p0》ND，与本征激发相同 例题：设n型Si施主浓度分别为1.5×1014cm-3及1012cm-3。计算500K时电子和空穴浓度。 p型半导体的载流子浓度 低温弱电离区 强电离区（饱和区） 过渡区 n型半导体 p型半导体 杂质浓度小于ni，n0,p0等于ni，材料是本征的；杂质浓度大于ni时，多数载流子随杂质浓度增加而增加，少数载流子随杂质浓度增加而减少。 在饱和电离区，少子浓度随温度增加而迅速增大。 3.5 一般情况下的载流子统计分布 n型半导体即是以导带电子导电为主的半导体。通常有三种掺杂情形：只掺施主杂质；掺施主杂质远大于掺受主杂质；掺施主杂质大于掺受主杂质，杂质补偿后仍呈现为n型半导体。 下面以有杂质补偿的n型半导体为例，讨论在非简并情形下各种温度范围的热平衡载流子浓度。 电中性条件：带正电荷的粒子(空穴和电离施主杂质)等于带负电的粒子(电子和电离受主杂质)， (1) 低温弱电离温度区。 当温度很低时，有效施主杂质只有部分发生电离，已电离的电子首先补偿然后进入了导带，在这种低温电离区，本征激发完全可以忽略不计，价带的空穴浓度p0=0。 极低温下 NDNA 低温下,由于施主浓度比受主浓度大 (2)强电离或饱和电离的温度区 当