半导体物理课件 第二章 杂质和缺陷.pptVIP

第二章 半导体中的杂质和缺陷能级 实际半导体偏离理想情况－缺陷 缺陷产生的原因： 原子的振动 材料不纯，若干杂质；结构不完整 各种形式缺陷： 点缺陷-空位、间隙原子 线缺陷-位错 面缺陷-层错、晶粒间界 实验表明，极微量的杂质对半导体的性质产生决定的影响。 若在105个硅原子中掺入一个磷原子，导电性将增加30倍。 在通常的退火情况下，一般金属或合金中的位错密度约为104-107根/平方厘米，经过冷加工后可增加至1012-1013根/平方厘米 。 炼钢就是将铁中的杂质和碳除掉。 2.1硅和锗中的杂质能级 杂质原子位于晶格原子间的间隙位置 杂质原子取代晶格原子而位于格点处 替位式杂质 间隙式杂质 施主杂质、施主能级 磷原子替代硅原子后，形成一个正电中心和一个多余的束缚电子，束缚电子脱离正电中心后成为自由电子，称电离。电离能为△ED，0.04~0.05eV。 施主能级 施主电离 N型半导体（电子型半导体） 束缚态，离化态 受主杂质、受主能级 浅能级杂质电离能的简单计算 锗△ED=0.0064eV，硅△ED=0. 025eV 考虑到正负电荷处于介质中，则作用力将减弱，束缚能量将减少，同时考虑电子的有效质量。 杂质的补偿作用 NAND NDNA 在半导体中，同时存在施主和受主杂质时，半导体是n型还是p型？ 深能级